降額等級

1級降額，最大的降額，適用于： a.失效將導(dǎo)致人員傷亡或設(shè)備及保護措施的嚴重破壞； b.高可靠性要求的設(shè)備卻采用了新技術(shù)新工藝； c.設(shè)備失效不能維修； d.系統(tǒng)對設(shè)備的尺寸重量有苛刻限制。

2級降額，適用于： a.設(shè)備失效將導(dǎo)致設(shè)備與保障設(shè)備的損壞； b. 高可靠性要求； c.采用了專門的設(shè)計； d.較高的維修費用；

3級降額，適用于： a.設(shè)備失效不會造成人員和設(shè)備的傷亡破壞； b.成熟的標準設(shè)計； c. 故障設(shè)備可迅速 、經(jīng)濟的加以修復(fù)； d.設(shè)備尺寸重量無大的限制；

降額參數(shù)與降額因子

1.電容

電容的降額參數(shù)與因子

2.電阻

電阻的降額參數(shù)與降額因子

3.集成電路

集成電路的降額參數(shù)及因子

4.其它器件

其它器件的降額參數(shù)及因子

運算放大器降額設(shè)計實例

從數(shù)據(jù)手機上查得工作電壓額定值為： 正電源電壓VCC=+12V，負電源電壓VEE=-22V。 輸入差分電壓VID=+/-20V； 輸出短路電流IOS=20mA； 最高結(jié)溫Tjm=150°C。 總功率P=500mW；熱阻θJC=160°C/W。 以1級降額要求為例計算出： 正電源電壓VCC=+15.4V，負電源電壓VEE=-15.4V； 輸入差分電壓VID=+/-12V； 輸出短路電流IOS=14mA； 最高結(jié)溫Tjm=80°C； 總功率P=350mW；

大功率器件結(jié)溫降額

對于大功率器件，需要重點考慮結(jié)溫降額； 降額時需要考慮的數(shù)據(jù)包括：允許結(jié)溫、功耗、結(jié)-殼熱阻。 以MOSFET NCV8401為例，其允許的最高結(jié)溫為150°C，結(jié)-殼熱阻 根據(jù)估算，額定工作條件下消耗的功率為0.5W。 如果根據(jù)3級降額要求，其最高結(jié)溫為115°C，θJC=60°C/W(PCB散熱面積為200平方毫米)。 則允許最高工作溫度為：115-60*0.5=85°C。

編輯：黃飛