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NPC2三電平拓撲橫管過壓保護開關(guān)邏輯

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2023-10-13 08:14 ? 次閱讀

NPC2三電平拓撲因為其效率高,諧波含量低,在光伏逆變器設(shè)計中應(yīng)用非常廣泛。由下圖可以看到,NPC2由四個開關(guān)管構(gòu)成,包含豎管T1/T4,橫管T2/T3。

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在市電異常或者逆變器系統(tǒng)故障時,逆變器是否需要特殊的開關(guān)邏輯,對NPC2拓撲中的橫管進行過壓保護呢?

我們以橫管T2/3采用50A 650V H5 IGBT IKW50N65H5,豎管T1/4為40A 1200V S6 IGBT IKW40N120CS6為例子。

當市電異常時,逆變器啟動保護機制,如下圖,從波形上看,T1與T2同時開始關(guān)斷,但因為H5芯片開關(guān)速度天然比CS6快很多,即使在關(guān)斷電阻T2>T1的情況下(T2 Rg=40ohm,T1 Rg=20ohm),T1的Vge下降速度依然比T2的Vge下降速度要慢,T2先關(guān)斷。從波形上看,T2的Vce電壓平臺維持在780Vdc附近,持續(xù)了50us。對于800V母線系統(tǒng),NPC2拓撲,橫管最好用650V器件,其損耗比1200V低,但780V的電壓平臺已經(jīng)遠遠超過器件的最大CE耐壓。雖然下面波形圖的管子還沒有損壞,但是這在設(shè)計中絕對不允許的,需要把電壓降低至合理的水平。

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對于這種情況,可能的原因是,線路上雜散電容Cs(或者RC吸收電路上的電容Cs)的電荷無法釋放造成。

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如上圖,Cs模擬雜散電容(或者RC吸收電容),以正半周為例,T2比T1先關(guān)斷:

左圖T1,T2開通T3的電容(Cs)會被充電,電壓在+Bus,中圖當T2先關(guān)斷時,Cs的電荷的泄放回路被切斷,Cs電壓會維持在+Bus,右圖當T1關(guān)斷時,輸出電感電流通過T4的二極管續(xù)流,AC輸出的點會被嵌位到-Bus。從而T2 CE兩端電壓會在+Bus和-Bus之間,總電壓會是2倍Bus,遠超橫管常用的1倍Bus電壓的器件選型。

如果,改變T1,T2的關(guān)斷時序,T1比T2先關(guān)斷:

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如上圖,左圖,T1開通時,Cs電壓為+Bus。中圖,當T1先關(guān)斷,因為T2還在開通,電感在續(xù)流情況下,電流會從中點流向AC輸出端,Cs電容上的電壓會被釋放掉至0。右圖,當T2關(guān)斷時,電流通過T4二極管續(xù)流,AC輸出端被嵌位在-Bus。在T2CE兩端的電壓為0和-Bus。總電壓是1倍Bus電壓。與第一種情況相對,T2上電壓會減少一半。T2沒有過壓的風險。

仿真驗證:

以PLECS仿真軟件,搭建上圖的線路。以T2先于T1關(guān)斷,和T2延后T1關(guān)斷兩種情況來進行仿真。

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上圖當T2比T1先關(guān)斷,三通道T2 Vce=800V.

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上圖當T1比T2先關(guān)斷,三通道T2 Vce=400V.

實驗驗證:

第二次測試,減小T1 Rg=10ohm,維持T2 Rg=40ohm,從下面的波形可以看出,T1Vge下降速度比T2Vge下降速度要快,T1比T2先關(guān)斷,T2 Vce電壓平臺會維持在390Vdc附近,大約為1/2母線電壓。可以得知此方法對減少T2過壓有很好的效果。

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從上述的分析和實驗可知,當橫管雜散電容較大(或有RC吸收電路)時,在市電異常或者逆變器系統(tǒng)故障時,逆變器需要加入橫管的延時關(guān)斷策略,以減少橫管過壓的風險發(fā)生。

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