日前，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其它許可。10月15日消息，三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠，進行工藝升級。三星電子已開始預定和購買最新的半導體設備用于工藝轉換，預計新設備將于年底開始投入使用。 位于陜西省的西安工廠是三星唯一的海外存儲半導體生產基地，于2014年開始運營，在2020年增建第二座工廠后，主要生產128層(V6)NAND閃存，月產能達20萬片12英寸晶圓，占三星NAND閃存產總量的40%以上。在此基礎上，三星電子計劃明年在西安工廠內安裝并逐步轉換設備，生產236層(V8)NAND閃存。

在NAND閃存市場難以復蘇的情況下，三星升級西安工廠是保持全球NAND閃存第一的戰略對策；去年下半年開始，IT市場放緩和半導體市場疲軟也導致三星電子NAND業務下滑。由于庫存不斷增加，赤字擴大，據估計，三星電子設備解決方案(DS)業務今年第三季度的營業虧損將達到約3萬億韓元(約人民幣162億元)，其中2萬億韓元(約人民幣108億元)將來自NAND閃存業務。

不過，隨著美國宣布將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在華工廠提供半導體設備，無需其它許可。這給運營著存儲芯片工廠的三星電子帶來了機會。業內人士表示“擴建閃存芯片工廠可能會有困難，但是設備維護和工藝轉換并沒有太大問題”，他還表示，“在工藝轉換的情況下，盡管設備數量增加導致晶圓投入量和生產能力減少，但是出貨量仍然保持不變”。

三星電子實際上從四月份正式宣布開始減產，主要生產128層(V6)NAND的西安工廠開工率也大幅下降，推測傳統產品(128層)市場需求較低，無法確保價格競爭力，因此工廠整體開工率下調至20%左右。

盡管通過減產政策降低了產量，但三星的業績卻遲遲不見起色，因此決定進行工藝升級。通過生產最新的第8代產品不僅可以確保價格競爭力和需求，而且考慮到第8代產品的工藝數量高于第6代產品，這意味著晶圓投入比以前減少了30%，通過自然減產來平衡市場供需。