漲價幅度超出此前預期,NAND Flash晶圓作為最先喊漲的產品,漲幅有望領跑。與供給側大刀闊斧減產不同,NAND Flash需求端依然沒有恢復元氣。
據TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示,由于供應商嚴格控制產出,NAND Flash第四季度合約價全面起漲,漲幅約8~13%。
8~13%的漲價幅度超出此前預期。
TrendForce在9月11日的報告中預計,四季度NAND Flash均價有望持平或小幅上漲,環比漲幅約0~5%。
NAND Flash晶圓的漲幅有望領跑。
TrendForce預測其第四季度漲幅約13~18%,供應商的減產措施取得成效是此輪漲價的主要原因——繼三星減產幅度擴大至50%后,其他NAND Flash晶圓原廠也維持節制的投片策略,部分制程與產能在減產時間達半年后,構成結構性的供應緊張,均有利原廠在價格上上掌握主導優勢,目前市場幾乎已無低價貨源可采購。
NAND Flash第四季合約價全面起漲
展望2024年,TrendForce提示,除非原廠仍能維持減產策略,且服務器領域對Enterprise SSD需求回溫,否則在缺乏需求作為支撐的前提下,NAND Flash要延續漲勢將有難度。
與供給側大刀闊斧減產不同,NAND Flash需求端依然沒有恢復元氣。
當下的新增訂單大多基于漲價預期,即NAND閃存客戶選擇提前囤貨。
總體而言,在消費性電子市場需求能見度仍不明朗、通用型服務器的資本支出需求疲弱的情況下,NAND Flash這輪漲價能否持續到明年仍是未知數。
審核編輯:劉清
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
原文標題:這類存儲芯片Q4起全面漲價 最高漲18%
文章出處:【微信號:chinastarmarket,微信公眾號:科創板日報】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
相關推薦
正在迅速而果斷地采取行動,以降低資本支出并削減晶圓產量,從而維護市場的供應紀律。具體措施包括將NAND晶圓啟動率較此前水平下調10%,并減慢
發表于 12-26 14:30
?249次閱讀
一、概述
晶圓背面涂敷工藝是在晶圓背面涂覆一層特定的材料,以滿足封裝過程中的各種需求。這種工藝不僅可以提高芯片的機械強度,還可以優化散熱性能,確保芯片的穩定性和可靠性。
二、材料選擇
發表于 12-19 09:54
?356次閱讀
貼、容易脫落的問題,同時占用更少的PCB面積。
2. 使用壽命與穩定性
[]()
使用SLC NAND Flash晶圓:SLC NAND
發表于 12-06 11:22
今天和大家一起學習NAND Flash與主控HOST之間的SDIO接口工作原理、接口優勢以及主控的作用,這是構建高效、可靠數據存儲系統的核心要素。以下是對這些方面的詳細闡述,旨在以有說服力的方式展現
發表于 10-11 10:25
?417次閱讀
三星電子近期調整了其晶圓代工產能擴充計劃,決定暫緩平澤P4工廠的進一步擴建,轉而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器(HBM)的生產上。這一戰略調整反映了三星對當前市場需求的精
發表于 09-19 17:23
?1071次閱讀
電子發燒友網站提供《打開NAND Flash接口規范.pdf》資料免費下載
發表于 08-21 12:21
?0次下載
以下是關于碳化硅晶圓和硅晶圓的區別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有比硅(Si)更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅
發表于 08-08 10:13
?1838次閱讀
NAND Flash作為非易失性存儲技術的重要一員,其擦寫次數是評估其性能和壽命的關鍵因素之一。以下將詳細介紹NAND Flash的擦寫次數,包括其定義、不同類型
發表于 07-29 17:18
?3707次閱讀
在討論NAND Flash和NOR Flash哪個更好時,我們需要從多個維度進行深入分析,包括它們的技術特性、應用場景、成本效益以及未來發展趨勢等。
發表于 07-29 16:59
?1759次閱讀
全球被動元件行業正迎來新一輪漲價潮,此次漲價幅度遠超以往,預計最高漲幅將達到驚人的20%。這一趨勢的主要推手包括智能手機市場的旺季即將到來、PC市場的逐步復蘇,以及今年白銀價格的大幅飆升。
發表于 07-19 16:35
?676次閱讀
NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類型的閃存技術,它們在存儲單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。
發表于 07-10 14:25
?2361次閱讀
其中,三星以54億美元的銷售額領跑市場,環比增長28.6%。得益于企業級SSD出貨量的提升與NAND Flash價格的上漲,預計下個季度將繼續保持20%以上的增速。
發表于 05-29 15:58
?580次閱讀
以全速運轉狀態,三星NAND閃存生產線季度晶圓投片量可超過200萬片。同時,該公司已為二至四季度設定晶圓投片量紅線,總計120萬片,使整體產
發表于 04-16 14:55
?557次閱讀
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND
發表于 03-14 15:35
?604次閱讀
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現在市場上兩種主要的閃存技術。Intel于1988年首先開發出 NOR Flash 技術,徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPR
發表于 03-01 17:08
?749次閱讀
評論