據DigiTimes報道，三星代工廠副總裁 Jeong Gi-Tae表示，其即將推出的 SF1.4（1.4 納米級）工藝技術將把納米片的數量從 3 個增加到 4個。此舉有望為性能和功耗帶來顯著的好處。

三星是第一家在 2022 年中期推出依賴于環柵 (GAA) 納米片晶體管的工藝技術的公司，其 SF3E（也稱為 3 納米級環柵耳，3GAE）。該公司使用該技術制造各種芯片，但據信該節點的使用僅限于微型芯片，例如用于加密貨幣挖掘的芯片。明年，三星計劃推出 SF3 技術，該技術有望被更廣泛的應用領域所采用。三星計劃在 2025 年推出其性能增強型 SF3P 技術，該技術專為數據中心 CPU 和 GPU 設計。

同樣在2025年，三星預計將推出SF2（2nm級）制造工藝，該工藝不僅依賴GAA晶體管，還將采用背面功率傳輸，這在晶體管密度和功率傳輸方面帶來了巨大的好處，也許在推出基于GAA的SF3E后三星生產節點的最大改革將發生在2027年，屆時三星的SF1.4技術將通過將納米片數量從3個增加到4個來獲得額外的納米片。

增加每個晶體管的納米片數量可以增強驅動電流，從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過晶體管，從而增強其開關能力和運行速度。此外，更多的納米片可以更好地控制電流，這有助于減少漏電流，從而降低功耗。此外，改進的電流控制還意味著晶體管產生的熱量更少，從而提高了功率效率。

英特爾和臺積電都打算分別于 2024 年和 2025 年開始使用 GAA 晶體管及其 20A 和 N2（2 納米級）工藝技術。當這些公司推出基于納米片的節點時，三星將在環柵晶體管方面擁有豐富的經驗，這可能對代工廠有利。

審核編輯：黃飛