我們先來看下ST的LM339DT手冊中給的內部電路圖：我們將這個電路分成幾個模塊便于我們理解；

我們分析內部電路是為了更好的理解這個器件；

我們先看下下面電路，我們看左半邊電路：Q1三極管的基極和集電極相連接；

我們來分析：

1.我們知道二極管具有鉗位功能，而三極管的BE就相當于一個二極管，所以圖中基極電壓為0.7V（這里為了方便理解，我們統一用0.7V），即A點電壓為0.7V，即集電極電壓為0.7V；這里Q1三極管導通，Vce = 0.7V，我們知道三極管飽和導通ce壓降接近0.3V，所以這里滿足放大條件；

我們知道Ie = Ib +Ic = （1+β）Ib；

這里Ic = （5V-0.7V)/R1；

2.我們再結合右邊電路一起看，一般我們為了保證芯內部的穩定性和對稱性，內部晶體管一般都在同一個晶圓上切割，保證晶體管功能盡可能一樣；

我們看Q1和Q2的基極電流由Q1的集電極提供，因為Q1和Q2的對稱，故流進Q1和Q2的基極電流相等，則有Q2的Ic2等于Q1的Ic1，這里的R1和R2阻值是相等的，那么B點電壓是多少？

供電電源相等，電阻相等，電流相等，故VB =0.7V；

所以這個電路也叫鏡像電流源電路，右邊電路相當于左邊的鏡像；

我們再分析，如果R2R1，B點電壓又怎么變化？我們思考下：

我們看如果R2Ic1，這里的Ic2意思是相比于左半電路，Q2集電極可以允許的最大電流變大了，Q2往放大狀態走，即VB > 0.7V；

同理，如果R2>R1，那么Ic2

綜上我們可以得出，只要我們控制上述兩邊集電極的Ic電流即可控制B點電壓輸出是0.7V以上還是0.7V以下;

在芯片中，內部無法集成電阻，所以我們用三極管代替：這里我們用P三極管；這里的A,B點就是比較器輸入，接的100uA電流源是限流用的；我們知道比較器輸入端阻抗大，那么這里滿足么，我們按照三極管放大倍數百倍來看，即2端的基極電流為nA級別，為了滿足輸入阻抗，它又分別加了一級；

即：優化后電路：我們再加一級P管即可滿足要求，那么這里也對輸入有了要求，我們來看三極管需要導通，這里A,B點輸入電壓不能超過VCC-1.4V；

同時手冊中也給出了相應的指標：輸入電壓不能超過VCC+ - 1.5V；和我們理論推出相符合；

接下來繼續，我們通過比較A,B電壓大小從而控制Ic電流，最終控制上述C點電位變化，比較器需要輸出高低狀態，所以我們需要C點后面接三極管，通過三極管來放大前端的小變化；

我們來分析：

1. 當c點電壓大于0.7V時，Q1三極管導通，Q2基極被拉到地，截止，輸出高阻態；
2. 當c點電壓小于0.7V時，Q1三極管截止，Q1集電極100uA電流流進Q2基極，使其飽和導通，輸出低電平；
3. 我們在比較器輸出端加上拉電阻時，要注意這里的100uA，必須使輸出端Ic < β*100uA， 即讓Q2飽和導通，輸出VCC；

我們再看下圖中的二極管作用：我們在三極管選型時應該都注意過一個參數，就是BE反向耐壓：我們看下手冊：一般在5V左右，所以我們在三極管be兩端并聯一個二極管進行保護；

這是我個人理解，如果有其他觀點也可以發出來，大家一起討論；

今天就介紹到這里，感謝大家閱讀；