等離子刻蝕時，暴露在離子束下的金屬或poly會積累電荷（就像一根天線一樣，收集電荷）而產生電勢，積累的電荷與暴露在離子束下金屬面積成正比；如果積累了足夠電荷的一根長金屬線或POLY直接連接到MOS管的GATE上時，就會放電，柵氧會被擊穿，導致芯片失效。

在金屬互連線的制造過程中會產生大量游離電荷，對于游離電荷來說，一邊是二氧化硅絕緣體材料，一邊是金屬，自然會往金屬上聚集，金屬像海綿把周圍的水吸收進來。當積累的電荷逐漸變多，電勢變高，金屬就會找地方放電，越長的金屬容易收集到更多的電荷，更容易引起天線效應。

antenna ratio（天線比）定義為：構成所謂天線的導體面積與其相連的柵面積之比，比值越大天線效應越容易發生（這個值與工藝有關，常見為300：1），隨著工藝尺寸越來越小，天線效應發生的可能越來越高；

消除天線效應的方法：就是要想辦法減小antenna ratio；使直接連接到柵的導體面積變小；

1.跳線法

采用跳線法，斷開存在天線效應的金屬M1，一根長金屬M1連接到GATE上，收集足夠的電荷后，產生的電勢超過柵氧承受的擊穿電壓后，柵氧被擊穿

2. 添加天線器件

在存在天線效應的導體上添加反偏的二極管，為積累的電荷提供一個泄放回路，這樣積累的電荷就不會對柵氧造成損壞，從而消除天線效應；

3. 插入緩沖器Buffer

通過在直接連接到柵的導體上插入緩沖器來切斷長線消除天線效應

審核編輯：黃飛