涉嫌侵犯晶體管專利 意法半導(dǎo)體被判賠3250萬(wàn)美元
美國(guó)西德克薩斯州法院陪審員12月5日公布的判決中稱，歐洲芯片制造企業(yè)st.半導(dǎo)體因侵犯一項(xiàng)晶體管技術(shù)專利，應(yīng)向普渡大學(xué)賠償3250萬(wàn)美元。
該陪審員同意了普度的意見，即電動(dòng)汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導(dǎo)體電場(chǎng)效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應(yīng)用（high power power application）使用的晶體管的專利。
意法半導(dǎo)體的一位發(fā)言人說(shuō)該公司將對(duì)判決提出上訴。普渡大學(xué)的律師Michael Shore表示，對(duì)意法半導(dǎo)體不利的證據(jù)是“壓倒性的”，到2026年為止，將需要支付1億美元以上的專利使用費(fèi)。
據(jù)悉，mosfet主要用于電子產(chǎn)品。在2021年，普渡起訴mosfet侵犯了太陽(yáng)能冷暖房系統(tǒng)、汽車充電站和其他可再生能源產(chǎn)品的兩項(xiàng)晶體管技術(shù)專利。
普渡大學(xué)的專利是一項(xiàng)用于高電壓電力應(yīng)用的半導(dǎo)體和mosfet技術(shù)創(chuàng)新，由普渡大學(xué)的前教授James Cooper和他的學(xué)生asmita saha申請(qǐng)。
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？
再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問(wèn)題？
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