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8英寸襯底井噴,11月國內碳化硅產業迎來新進展

Hobby觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:梁浩斌 ? 2023-12-12 01:35 ? 次閱讀

電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在碳化硅產業鏈中,成本占比最高的部分是襯底,碳化硅襯底的產能決定了下游器件的產量上限。因此,襯底廠商可以稱之為碳化硅產業鏈的風向標。

本土碳化硅供應商份額增長空間大

國內碳化硅產業近年來發展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產以及8英寸襯底的研發進度大幅拉近了與海外領先玩家的差距,另一方面是產能擴張上的投入越來越大。這使得國內在全球碳化硅產業中,無論是從市場需求,還是產業鏈上游的產能、技術上都處于重要地位。

此前麥肯錫的報告中顯示,中國碳化硅市場上,80%的襯底/晶圓以及95%以上的器件來自海外供應商。但考慮到地緣政治以及供應穩定,中國汽車OEM正在加速尋求本土供應商,預計到2030年,中國汽車OEM廠商將廣泛轉向本地供應商采購,從目前的約15%提高到約60%。

11月國內碳化硅襯底迎來多項新進展

而在剛剛過去的11月,國內碳化硅產業迎來了多個產能擴張項目以及襯底突破新進展,首先是在碳化硅襯底方面。正如硅基芯片所用到的硅晶圓,尺寸從6英寸、8英寸發展至12英寸一樣,對于碳化硅功率器件所用到的襯底,同樣在往大尺寸發展。

8英寸襯底的有效利用率高,推動產業鏈降本增效的效果明顯,尤其是襯底在碳化硅產業鏈中所占價值可以高達50%的情況下。襯底尺寸越大,單位襯底可以制造的芯片數量越多,單位芯片成本就越低。因此推動8英寸襯底的量產,就是在加速降低碳化硅器件的成本。

11月,粵海金半導體宣布成功研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片,公司表示攻克了大量工藝技術難關,在自主研制的碳化硅單晶生長爐上成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導電型碳化硅晶體,晶體表面光滑無缺陷,厚度超過20毫米,同時已經順利加工出8英寸碳化硅襯底片。在8英寸碳化硅晶體研發過程中成功解決了大直徑晶體擴徑生長、大尺寸熱場分布和高溫氣相輸運、大尺寸晶體應力控制等關鍵共性技術難題,形成并掌握了完整的工藝解決方案,獲得了質量優良的碳化硅單晶與襯底片。

中電化合物也在11月宣布成功向客戶交付首批次8英寸SiC 外延片產品,在技術指標方面,可以實現厚度均勻性≤3%、摻雜濃度均勻性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm2。與此同時,中電化合物自主研發和生產的6英寸碳化硅晶錠、襯底片、外延片都已經實現量產。

中電科南京外延材料產業基地也在11月正式投產,該項目由中電科半導體材料投資19.3億元建立,一期項目年產456萬片8-12英寸硅外延片,6-8英寸化合物半導體外延片年產12.6萬片。

晶盛機電在11月正式啟動了年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目,項目總投資21.2億元。目前公司已經建設了6-8 英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線,6英寸襯底片已通過多家下游企業驗證,正處于快速上量階段,8英寸襯底片處于下游企業驗證階段。晶盛機電作為半導體設備供應商,在設備方面也采用自研的方式,公司已經成功研發出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備,實現了成熟穩定的8英寸碳化硅外延工藝。

騰睿微電子的碳化硅襯底中試線也在11月正式下線,一期年產能為1萬片,預計到2026年其年產能將達到10萬片。

小結:

國內電動汽車產業的需求強勁帶動上游碳化硅產業的產能擴張,明年產能逐步落地后,供需可能出現反轉,而到時碳化硅的普及可能會進一步加速。

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