英飛凌62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產(chǎn)品獎
11月14日，英飛凌科技的62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產(chǎn)品獎，再次展現(xiàn)了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力和行業(yè)領(lǐng)先地位，得到了業(yè)內(nèi)專家和客戶的認(rèn)可。
2023年上市的62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊采用溝槽柵，大大提升器件參數(shù)、可靠性及壽命。2000V的電壓等級，可簡化1500VDC光伏系統(tǒng)拓?fù)湓O(shè)計(jì)，將傳統(tǒng)IGBT器件的三電平方案簡化為兩電平，使1500VDC光伏系統(tǒng)效率上了新臺階。
通過碳化硅擴(kuò)展成熟的62mm封裝的產(chǎn)品，滿足了快速開關(guān)要求和低損耗，高效率的應(yīng)用，適用于儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、光伏逆變器、牽引以及UPS等應(yīng)用。
采用62mm封裝的2000V產(chǎn)品組合包含3.5mΩ/300A和2.6mΩ/400A兩種型號，還有評估板可供選擇。了解更多信息，請點(diǎn)擊文末“閱讀原文”。
英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究，在長達(dá)30年的時(shí)間里，英飛凌不斷地進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀，不遺余力地在碳化硅領(lǐng)域做出自己的貢獻(xiàn)。英飛凌科技將繼續(xù)推動碳化硅產(chǎn)品和技術(shù)的發(fā)展，為全球客戶提供更為高效、可靠的產(chǎn)品解決方案。
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
2218瀏覽量
139086 -
模塊
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
2735瀏覽量
47750 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2828瀏覽量
49275
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
英飛凌CoolSiC? MOSFET 2000V再獲殊榮，榮獲極光獎兩項(xiàng)大獎
英飛凌再次榮膺2024年全球電子產(chǎn)品獎，CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目
IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計(jì)2000V CoolSiC?驅(qū)動評估板
CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場
新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展
新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展
IPAC直播間 | CoolSiC?碳化硅直播季-高壓碳化硅的應(yīng)用設(shè)計(jì)
基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展
英飛凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板
工商網(wǎng)監(jiān)
評論