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SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2023-12-24 09:37 ? 次閱讀

電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標(biāo)不僅與控制系統(tǒng)的性能指標(biāo)及控制算法密不可分,也與電力電子功率器件的性能指標(biāo)密切相關(guān)。電力電子器件性能指標(biāo)直接影響電能質(zhì)量控制產(chǎn)品變流器的損耗、功率密度、響應(yīng)時間、濾波次數(shù)、諧波濾除率等指標(biāo)。一款開關(guān)頻率高、損耗低、耐壓高的電力電子器件,對于電能質(zhì)量控制關(guān)鍵產(chǎn)品性能的提升、可靠性的提高至關(guān)重要。而SiC 器件的性能指標(biāo)完全可以滿足此要求。

近日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)在廈門國際會議中心召開。期間,“功率模塊電源應(yīng)用峰會”上,山東華天科技集團(tuán)股份有限公司工程師、山東華天電氣有限公司副董事長遲恩先做了“SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用”的主題報告,分享了基于SiC器件的電能質(zhì)量控制產(chǎn)品、SiC器件的應(yīng)用心得及拓展應(yīng)用。

與硅基半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有更大漂移速率、更高熱導(dǎo)率、更高擊穿場強等特點;碳化硅的擊穿場強是硅的10倍、耐高溫能力是硅的2倍、高頻能力是硅的2倍;更適應(yīng)用于高功率、高頻、高溫、高電壓等惡劣條件的功率半導(dǎo)體器件;可以縮小模塊體積大約50%、大幅降低損耗,從而提高功率密度、降低綜合成本。

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報告首先分享了SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品輔助電源上的應(yīng)用。采用Sic器件,可以有效簡化電路拓?fù)?,減少器件數(shù)量。如功率電路采用單管反激代替雙管反激電路拓?fù)洌?a target="_blank">驅(qū)動電路無需再區(qū)分高邊和低邊電路,大幅減少器件數(shù)量,簡化電路拓?fù)?;由于SiC 器件具有更高的電壓等級,因此可有效提升系統(tǒng)安全裕度;由于SiC器件的高速度、低損耗等特性,可使輔助電源效率更高、發(fā)熱量更少、體積更小、系統(tǒng)成本更低。

接下來,分享了基于SiC器件的有源電力濾波器、動態(tài)電壓恢復(fù)器(DVR)和電能質(zhì)量優(yōu)化與儲能一體化裝置三款產(chǎn)品。有源電力濾波器是電能質(zhì)量控制的關(guān)鍵產(chǎn)品,集諧波治理、無功補償、三相不平衡校正于一體。采用SiC器件后,其諧波濾除率、諧波濾除次數(shù)、整機損耗、輸出紋波、功率密度等各項指標(biāo)顯著提高,相比IGBT版本的產(chǎn)品,體積減少34.8%,率密度提高50%,下圖是基于IGBT和基于SiC器件的有源電力濾波器關(guān)鍵指標(biāo)對比;動態(tài)電壓恢復(fù)器(DVR)是電壓閃變治理的關(guān)鍵產(chǎn)品,該產(chǎn)品采用全控型電力電子器件,當(dāng)系統(tǒng)電壓發(fā)生暫降或者暫升時,DVR快速把超級電容存儲的電能逆變成交流電給設(shè)備供電,保證設(shè)備的連續(xù)運行,不造成生產(chǎn)中斷,保障設(shè)備安全運行?;赟iC器件與基于IGBT的DVR相比,具有更高的響應(yīng)速度、更低的損耗,其最快響應(yīng)時間可達(dá)1mS,可顯著降低電壓閃變對負(fù)載的影響。

第三款產(chǎn)品為電能質(zhì)量優(yōu)化與儲能一體化裝置,該產(chǎn)品將電能質(zhì)量優(yōu)化與儲能相結(jié)合, 既能阻擋外網(wǎng)污染,又能防止負(fù)載污染電網(wǎng),并兼顧儲能,提高新能源發(fā)電消納能力,該產(chǎn)品采用諧振抑制專利技術(shù),可有效抑制光伏逆變器大量接入導(dǎo)致的諧振現(xiàn)象。采用SiC器件后,除可顯著提高產(chǎn)品的響應(yīng)速度、降低損耗、提高功率密度等優(yōu)點外,由于充分發(fā)揮了SiC器件的高速特性,進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的諧振抑制能力,為高比例新能源電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行保駕護(hù)航。

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SiC器件具有高開關(guān)頻率、高耐壓、耐高溫、低損耗等諸多優(yōu)勢,但在SiC器件應(yīng)用方面,仍然面臨諸多挑戰(zhàn):如何避免米勒電容引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng);如何進(jìn)一步提高開關(guān)頻率,降低開關(guān)與導(dǎo)通損耗;如何準(zhǔn)確的測量柵源電壓驅(qū)動波形;如何可靠的保護(hù)等等。

報告對這些問題進(jìn)行了剖析,并提出來相應(yīng)的解決方案,報告特別強調(diào),SiC器件的應(yīng)用,驅(qū)動設(shè)計十分重要,尤其應(yīng)注意合理布線。報告最后對SiC的應(yīng)用進(jìn)行了展望,除以上三款產(chǎn)品外,公司也在試驗電源、新能源汽車逆變器進(jìn)行了SiC器件應(yīng)用的探索。報告指出,預(yù)計在未來幾年,隨著技術(shù)的進(jìn)步和成本的降低,SIC的市場份額和應(yīng)用范圍都將大幅度擴(kuò)展。

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審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:山大華天遲恩先:SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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