RF模組使用者在使RF模組進入Sleep后測試電流時有時會發(fā)現(xiàn)模組的功耗和規(guī)格書的Sleep狀態(tài)電流值對應不上。這種情況都是讓RF模組進入Sleep后，MUC和RF模組鏈接的IO的狀態(tài)配置不正確造成的。

那么如何解決呢？本文將對RF模組在Sleep狀態(tài)下如何做到最低功耗進行說明。

RF模組sleep時RF模組的IO狀態(tài)

先要獲知RF模組Sleep時，RF模組的IO的狀態(tài)。該信息可從模組規(guī)格書，模組主芯片手冊或者模組主芯片廠家處獲取。下面以SX126X和LLCC68系列模組為例進行說明。

SX126X和LLCC68系列模組主芯片在各個狀態(tài)下的各個IO的狀態(tài)如下圖所示：

我們主要關注Sleep狀態(tài)下的各個IO的狀態(tài)，并進行如下分類：

1

HIZ PD（高阻態(tài)下拉）：包含IO有 DIO3、DIO2、DIO1

模組的這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸入下拉即可。

2

HIZ PU（高阻態(tài)上拉）：包含IO有 BUSY

模組的這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸入上拉即可。

3

HIZ（高阻態(tài)無上拉和下拉）：包含IO有 MISO、MOSI、SCK

這類IO當模組為Sleep時建議配置MCU的IO為下拉輸入（對應MISO）或輸出低（對應MOSI、SCK）或 模擬輸入

注意：模組的這類IO對應的MCU的IOsleep如果配置為浮空輸入狀態(tài)，可能出現(xiàn)MCU內(nèi)部IO的施密特觸發(fā)器在由外部噪聲引起的邏輯電平之間隨機切換。這增加了總體消耗。這種現(xiàn)象是隨機的，可能和溫度、PCB走線等都有關系。

4

IN（輸入無上拉和下拉）：包含IO有 NSS

模組的這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸出高電平即可。

5

IN PU（輸入上拉）：包含IO有 NRESET

模組的這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸出高電平即可。

6

模組上有但是主芯片上沒有的CTL1和CTL2

這兩個IO時模組上的高頻開關上的控制引腳，模組sleep時，請把MUC對應的這兩個IO都輸出低電平。

結論

1、實際應用中如果模組的DIO3、DIO2、DIO1 這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸入上拉則有可能增加sleep功耗。

2、實際應用中如果模組的BUSY 這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸入下拉則有可能增加sleep功耗。

3、實際應用中如果模組的MISO、MOSI、SCK這類IO在sleep時MCU的IO配置為浮空輸入則有可能增加sleep功耗。

4、實際應用中如果模組的NRESET只在模組復位時有電平變化，在模組進出sleep過程中都不要進行電平操作。

5、實際應用中如果模組的CTL1和CTL2如果不輸出低，則高頻開關未關閉，則會增加sleep功耗。