肖特基二極管（Schottky BarrierDiode SBD），也稱肖特基勢壘二極管，與PN結二極管相比具有更低的正向壓降和更快的開關速度。

肖特基二極管的基本原理是：在金屬（如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，利用形成的肖特基結構來阻擋反向電壓。

肖特基結構與PN結的整流原理存在根本性差異。

肖特基二極管的耐壓能力較低，通常在40-150V左右，但其主要優點是開關速度非常快，反向恢復時間極短。因此，它可以用于制作開關二極管和低壓大電流整流二極管。

肖特基二極管的金屬層除了鎢材料外，還可以使用金、鉬、鎳、鈦等材料。半導體材料包括硅或砷化鎵。這種器件主要依靠多數載流子導電，所以其反向飽和電流比依靠少數載流子導電的PN結要大得多。

肖特基二極管的優點主要有以下幾個方面：

低功耗：肖特基二極管的正向壓降較小，導通電阻也較小，因此能夠實現低功耗的整流和開關操作。

高溫穩定性：肖特基二極管具有較高的熱穩定性。

然而，肖特基二極管也存在一些缺點：

反向漏電流大：肖特基二極管的反向漏電流較大，需要采取相應的措施進行抑制。

存儲效應：肖特基二極管存在存儲效應，即在關斷狀態下，反向電流會逐漸增加。這會影響電路的穩定性和可靠性。