Qorvo,全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商,近日發布了其全新車規級碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實現了業界領先的9mΩ導通電阻RDS(on)。作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產品,其最高可達60mΩ的導通電阻值,使其在電動汽車(EV)領域具有廣泛的應用前景,尤其適用于車載充電器、DC/DC轉換器和正溫度系數(PTC)加熱器模塊等關鍵應用。
隨著電動汽車市場的不斷擴大和技術的不斷進步,對于高效、可靠的電力電子解決方案的需求日益增長。Qorvo的這款SiC FET產品憑借其卓越的性能和緊湊的封裝,為電動汽車設計提供了新的可能性和更高的性能。其低導通電阻能夠顯著降低能源損失,提高系統效率,而緊湊的封裝則有助于減少空間占用,使設計更為緊湊。
作為全球連接和電源解決方案的領導者,Qorvo一直致力于創新和突破,以滿足市場對高效、可靠和緊湊的電子解決方案的需求。這次推出的SiC FET產品再次證明了Qorvo在技術上的領先地位和對電動汽車市場的深度理解。
未來,隨著電動汽車市場的持續發展,我們期待Qorvo能夠繼續推出更多創新的產品,為電動汽車的設計和性能提升提供更多可能。同時,我們也期待看到Qorvo的SiC FET產品在更多電動汽車類應用中的廣泛應用,為推動電動汽車技術的發展做出更大的貢獻。
-
半導體
+關注
關注
334文章
27712瀏覽量
222660 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
2827瀏覽量
49275 -
Qorvo
+關注
關注
17文章
655瀏覽量
77536
發布評論請先 登錄
相關推薦
場效應管的封裝類型與選擇
新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝
![新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET <b class='flag-5'>D</b>2<b class='flag-5'>PAK</b>-7L<b class='flag-5'>封裝</b>](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
![瞻芯電子<b class='flag-5'>推出</b>采用TC3<b class='flag-5'>Pak</b><b class='flag-5'>封裝</b>的1200V <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET](https://file1.elecfans.com/web3/M00/00/23/wKgZPGdGxDCAR_2pAAAS82Bz09Q358.png)
Qorvo SiC JFET推動固態斷路器革新
Nexperia推出650V兩種超快速恢復整流二極管
Qorvo?推出采用TOLL封裝的750V4mΩSiC JFET
安世半導體宣布推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
![深入對比<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET vs <b class='flag-5'>Qorvo</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>FET</b>](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C8/A0/wKgaomYWFsmAdDMHAAAI1oDENUk334.jpg)
溝槽當道,平面型SiC MOSFET尚能飯否?
Vishay推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊
![Vishay<b class='flag-5'>推出</b>五款采用改良設計的INT-A-<b class='flag-5'>PAK</b><b class='flag-5'>封裝</b>新型半橋IGBT功率模塊](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C3/3B/wKgZomXqZzaAAGOvAAAOgCMwBl0790.jpg)
評論