三星電子采用大規模回流模制底部填充技術嗎？
據報道，隨著人工智能浪潮引發對高性能半導體的巨量需求，三星電子計劃引進SK海力士的大規模回流模制底部填充（MR-MUF）技術。但此消息被三星否認，其聲明顯示“從未考慮在半導體芯片生產中運用此技術”。
盡管面對AI熱潮及HBM需求的飆升，三星電子仍未與英偉達達成HBM芯片供應協議。分析指出，其堅持使用熱壓非導電薄膜（TC NCF）制程，可能導致產能問題。對比之下，SK海力士已將問題歸結于NCF，轉而采用MR-MUF向英偉達提供HBM3解決方案。
多位業內分析者透露，三星HBM3芯片生產良率僅有約10%至20%，而SK海力士則高達60%至70%。此外，三星還在積極與日本名古屋電解研等企業商討MUF材料供應事宜。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15875瀏覽量
181335 -
人工智能
+關注
關注
1796文章
47683瀏覽量
240336 -
英偉達
+關注
關注
22文章
3848瀏覽量
91995 -
HBM
+關注
關注
0文章
387瀏覽量
14837
發布評論請先 登錄
相關推薦
芯片封裝底部填充材料如何選擇？
芯片封裝底部填充材料如何選擇？芯片封裝底部填充材料的選擇是一個復雜而關鍵的過程，它直接影響到芯片封裝的可靠性和性能。底部
底部填充工藝在倒裝芯片上的應用
底部填充工藝在倒裝芯片（FlipChip）上的應用是一種重要的封裝技術，旨在提高封裝的可靠性和延長電子產品的使用壽命。以下是該工藝的主要應用和優勢：增強可靠性：倒裝芯片封裝中的焊點（常
三星電子遭遇大規模罷工,全球芯片供應鏈或受重創
7月8日，三星電子公司遭遇了其成立55年以來的最大規模罷工事件，數千名電子部門的工人計劃展開為期三天的罷工行動，以抗議薪資問題。這一前所未有
三星電子大規模改組，聚焦高帶寬存儲器研發
在全球人工智能市場蓬勃發展的浪潮下，三星電子再次展現出其在半導體領域的雄心壯志，宣布進行大規模改組，以進一步鞏固其在行業內的領先地位。此次改組的核心在于新設一個專注于高帶寬存儲器（HBM）的研發團隊，旨在滿足人工智能市場對高性能
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試，預示著即將開啟大規模生產并向英偉達供貨的序幕。然而，三星
三星電子工會罷工，對全球芯片供應影響有限
三星電子目前正面臨與全國三星電子工會（NSEU）之間的談判僵局。該工會代表了超過2.8萬名三星工人，并計劃在6月7日進行為期一天的罷工。盡管
三星電子有望在美國獲得超過 60 億美元的補貼
據彭博社3月15日報道，三星電子有望從美國政府獲得逾60億美元的《CHIP》法案補貼。該公司目前正在美國得克薩斯州新建一座工廠，此前計劃于今年7月開始大規模制造4納米制程產品
受困于良率？三星否認HBM芯片生產采用MR-MUF工藝
芯片生產中應用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技術的傳言并不屬實。 ? 三星在HBM生產中目
三星電子擬升級工藝，引入模塑底部填膠提升封裝工藝
據報道，三星電子擬在硅通孔（through-silicon electrode，TVS）的制造過程中引用MUF材料。TVS可以在晶圓或裸晶表面鉆出許多微小的孔洞，提供垂直連接通道。而MUF則可以填充這些孔洞，減小半導體間的空隙，
工商網監
評論