韓國媒體NEWSIS于3月14日曝出三星電子否認路透社其將轉用MR-RUF方式生產高帶寬存儲器（HBM）之推測。

實現HBM的關鍵所在為多層DRAM堆疊，市場主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充間隙；后者則為熱壓粘連NCF（非導電薄膜）至各DRAM層之間。

隨著DRAM層數的增多，晶圓厚度需相應減小但所需力度卻增大，可能導致翹曲加劇。因此，據部分分析人士觀點，SK海力士采用的MR-RUF方式更有助于控制翹曲問題。

此前路透社報道提及，三星HBM3芯片良率僅10～20％，遠遜于SK海力士的60～70％，為此，三星或尋求采購日本企業提供的MR-RUF模具塑料。

對此，三星明確表明路透社此報道不實，公司正采用NCF方案尋找最優解。坊間認為，由于三星在NCF材料研發及產量擴大方面已投入大量資金，故短期內并不宜轉換為MR-RUF。IT之家曾報道，三星擬將MR-RUF技術運用于3DS RDIMM產品之中。