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碳化硅功率器件的優勢 開啟高效能源轉換新紀元

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2024-03-21 10:52 ? 次閱讀

引言:

隨著全球對能源效率和環境保護要求的日益提高,傳統的硅基功率器件已經逐漸無法滿足新時代對高效能、高頻率、高溫度和高電壓應用的需求。碳化硅(SiC)功率器件憑借其超越傳統硅材料的卓越性能,正在引領能源轉換和電力電子技術的革命,為各行各業提供了更高效、更可靠的電力解決方案。

一、碳化硅材料簡介

碳化硅是一種由硅和碳組成的化合物半導體材料,具有寬能隙、高電子遷移率、高熱導率和強電場擊穿強度等特點。這些獨特的物理性質使得碳化硅器件在高溫度、高頻率、高電壓以及高功率應用中表現出比傳統硅器件更優異的性能。

二、碳化硅功率器件的優勢

高溫穩定性:碳化硅器件可以在高達600°C的溫度下穩定工作,而傳統硅器件的工作溫度上限通常在150°C左右。

高效能源轉換:碳化硅器件的寬能隙特性使其具有更低的導通和開關損耗,從而提高了能源轉換效率。

高頻運作能力:碳化硅的高電子遷移率使得器件能在高頻應用中表現出低損耗和高速度的特點。

高電壓耐受能力:碳化硅器件能夠承受比硅器件更高的電壓,有助于減小器件尺寸和系統成本。

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三、碳化硅功率器件的應用

碳化硅功率器件的出現,為多個領域提供了更高效、更可靠的電力解決方案,包括但不限于:

可再生能源:在太陽能逆變器、風力發電等領域,碳化硅器件可以提高能源轉換效率,減少系統體積和成本。

電動汽車:碳化硅器件用于電動汽車的充電器和逆變器中,可以增加續航里程,減少充電時間,提高能源利用效率。

軌道交通:在軌道交通的牽引系統中,碳化硅器件有助于提高能效和系統可靠性,降低維護成本。

工業電源:碳化硅器件可用于高效電源模塊,提供更高的功率密度和更低的能耗。

四、技術挑戰與未來展望

雖然碳化硅功率器件在許多方面顯示出明顯優勢,但在大規模商業化應用過程中,仍面臨一些技術和成本挑戰。例如,碳化硅晶圓的生產成本較高,器件加工難度大,這些因素都限制了其在市場上的普及速度。

未來,隨著材料制造和器件加工技術的進步,碳化硅功率器件的成本預計將逐漸降低,其在各個領域的應用也將越來越廣泛。同時,新的封裝技術和系統集成方案的開發,將進一步拓展碳化硅功率器件的應用前景,為全球能源效率的提升和環境保護貢獻力量。

結語:

碳化硅功率器件以其卓越的性能和高效的能源轉換能力,正在開啟一個新的電力電子技術時代。面對未來,碳化硅技術的不斷創新和優化將是推動全球能源與電力電子行業可持續發展的關鍵。隨著相關技術挑戰的克服和成本的進一步降低,碳化硅功率器件將在未來的能源革命中扮演越來越重要的角色。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規集成電路研發及產業化的高科技創新型企業,從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發區內,并在杭州、深圳和香港設有研發中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內領先的研發實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務,使客戶的系統性能優異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級、車規級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁智能電網、高頻電焊、軌道交通、工業控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現優異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現設計用充電樁的高溫環境下安全、穩定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業內領先的研發團隊。在國內創先設計開發了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。

公司核心研發團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發。公司建立了科技創新和知識產權管理的規范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發明專利。

“國之重器,從晶出發,自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業目標,我們為員工提供精彩的發展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

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原文標題:碳化硅功率器件:開啟高效能源轉換新紀元

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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