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如何利用 GaN 功率器件實現(xiàn)出色的中等功率電機變頻器

海闊天空的專欄 ? 來源:Bill Schweber ? 作者:Bill Schweber ? 2024-05-05 10:51 ? 次閱讀

作者:Bill Schweber

對更高效利用能源的推動、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運行的技術(shù)優(yōu)勢,所有這些都為近來降低電機功耗的舉措提供了支持。雖然硅 MOSFET 等開關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用,但它們往往無法滿足關(guān)鍵變頻器應(yīng)用對性能和效率的更高要求。

氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術(shù),在成本、性能、可靠性和易用性方面都有很大改進(jìn)和進(jìn)步,設(shè)計人員可以利用 GaN 器件達(dá)成上述目標(biāo)。GaN 器件現(xiàn)在已是主流,并已成為中等功率水平變頻器的首選。

本文探討了 [Efficient Power Conversion Corporation] (EPC) 的最新一代 GaN FET 如何幫助實現(xiàn)高性能電機變頻器。EPC 提供了評估板,可幫助設(shè)計人員熟悉 GaN 器件的特性并加速設(shè)計過程。

什么是變頻器?

變頻器的作用是生成和調(diào)節(jié)驅(qū)動電機,通常是無刷直流 (BLDC) 電機的功率波形。該器件通過控制電機的速度和扭矩,確保電機平穩(wěn)啟動和停止,實現(xiàn)反轉(zhuǎn)和加速率,以及滿足其他要求。變頻器還必須確保在負(fù)載發(fā)生變化時仍能實現(xiàn)并保持所需的電機性能。

請注意,不應(yīng)將提供變頻輸出的電機變頻器與交流線路變頻器混淆。后者從汽車電池等電源中獲取直流電,提供固定頻率的 120/240 V 交流波形,該波形近似正弦波,可用于為線路供電的設(shè)備供電。

為什么要考慮 GaN?

與硅器件相比,GaN 器件具有更優(yōu)越的特性,包括更高的開關(guān)速度、更低的漏源導(dǎo)通電阻 (R DS(開) ) 和更好的熱性能。較低的 R DS(開) 使 GaN 器件能夠用于更小、更輕的電機驅(qū)動器,并降低功率損耗,從而在電動自行車和無人機等應(yīng)用中節(jié)省能源和成本。較低的開關(guān)損耗會使電機驅(qū)動效率更高,從而延長輕型電動汽車 (EV) 的續(xù)航里程。較快的開關(guān)速度支持低延時電機響應(yīng),這對于機器人等需要精密電機控制的應(yīng)用而言至關(guān)重要。GaN FET 還可用于開發(fā)功率更大、效率更高的叉車電機驅(qū)動器。GaN FET 具有更高的電流處理能力,因此可用于更大、功率更高的電機。

對于終端應(yīng)用而言,最根本的好處是尺寸更小、重量更輕、功率密度和效率更高、熱性能更好。

GaN 入門

使用任何功率開關(guān)器件進(jìn)行設(shè)計,尤其是針對中等電流和電壓的設(shè)計,都必須關(guān)注器件的細(xì)枝末節(jié)和獨有特性。GaN 器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有兩種:耗盡型 (d-GaN) 和增強型 (e-GaN)。d-GaN 開關(guān)通常處于“接通”狀態(tài),需要負(fù)電源,因此使用這種開關(guān)的電路設(shè)計較為復(fù)雜。相比之下,e-GaN 開關(guān)是通常處于“關(guān)斷”狀態(tài)的 MOSFET,因此電路架構(gòu)更為簡單。

GaN 器件本身具有雙向性,一旦其兩端的反向電壓超過柵極閾值電壓,就會開始導(dǎo)電。此外,GaN 器件在設(shè)計上不支持雪崩工作模式,因此必須有足夠的額定電壓。對于降壓、升壓和橋式直流轉(zhuǎn)換拓?fù)洌谧罡?480 V 的母線電壓下,600 V 的額定電壓一般足以滿足要求。

雖然 GaN 開關(guān)的基本開/關(guān)功率切換功能很簡單,但它們是功率器件,因此設(shè)計人員必須仔細(xì)考慮導(dǎo)通和關(guān)斷驅(qū)動要求、開關(guān)時序、布局、寄生影響、電流控制以及電路板上的阻抗 (IR) 壓降。

對于許多設(shè)計人員來說,利用評估套件是了解 GaN 器件功能和使用方法的最有效方式。這些套件使用不同配置和功率水平的單個或多個 GaN 器件。套件還包括相關(guān)的無源元器件,例如:電容器、電感器電阻器、二極管、溫度傳感器、保護(hù)器件和連接器。

首先介紹低功率器件

[EPC2065] 是低功率 GaN FET 的一個出色范例。其漏源電壓 (V DS ) 為 80 V,漏極電流 (I D ) 為 60 A,R DS(開) 為 3.6 mΩ。該器件僅以帶焊條的鈍化芯片結(jié)構(gòu)提供,尺寸為 3.5 × 1.95 mm(圖 1)。

EPC 的 80 V、60 A EPC2065 GaN FET 圖片圖 1:80 V、60 A EPC2065 GaN FET 是帶一體式焊條的鈍化芯片器件。(圖片來源:EPC)

與其他 GaN 器件一樣,EPC2065 的橫向器件結(jié)構(gòu)和多數(shù)載流子二極管可提供極低的總柵極電荷 (Q G ) 和零反向恢復(fù)電荷 (Q RR )。這些特性使其非常適合需要超高開關(guān)頻率(高達(dá)幾百千赫茲)和低導(dǎo)通時間的應(yīng)用場景,以及導(dǎo)通損耗占主導(dǎo)地位的場景。

該器件有兩個類似的支持評估套件:[EPC9167KIT] 用于 20 A/500 W 的應(yīng)用,而更大功率的 [EPC9167HCKIT] 用于 20 A/1 kW 的應(yīng)用(圖 2)。兩者均為三相 BLDC 電機驅(qū)動變頻器評估板。

EPC 的 EPC9167 評估板圖片(點擊放大)圖 2:EPC9167 評估板的底部(左)和頂部(右)。(圖片來源:EPC)

EPC9167KIT 的基本配置為每個開關(guān)位置使用單個 FET,每相可提供高達(dá) 15 A 有效值 (標(biāo)稱值)和 20 A 有效值 (峰值)的電流。相比之下,電流更高的 EPC9167HC 配置在每個開關(guān)位置使用兩個并聯(lián) FET,可提供高達(dá) 20 A 有效值 /30A 有效值 (標(biāo)稱值/峰值)的最大輸出電流,這表明 GaN FET 可相對容易地進(jìn)行并聯(lián)配置,以獲得更高輸出電流?;A(chǔ) EPC9167 評估板的框圖如圖 3 所示。

EPC 的 基礎(chǔ) EPC9167 評估板框圖(點擊放大)圖 3:BLDC 驅(qū)動應(yīng)用中的基礎(chǔ) EPC9167 評估板框圖;較高功率的 EPC9167HC 每個開關(guān)并聯(lián)了兩個 EPC2065 器件,而較低功率的 EPC9167 每個開關(guān)只有一個 FET。(圖片來源:EPC)

EPC9167KIT 包含支持完整電機驅(qū)動變頻器的所有關(guān)鍵電路,包括柵極驅(qū)動器、用于輔助電源的穩(wěn)壓輔助電源軌、電壓檢測、溫度檢測、電流檢測和保護(hù)功能。

EPC9167 可與各種兼容控制器配合使用,并得到了許多制造商的支持。通過利用現(xiàn)有資源,可將其迅速配置為電機驅(qū)動變頻器或 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,從而實現(xiàn)快速開發(fā)。在電機驅(qū)動應(yīng)用中,該器件提供多相 DC-DC 轉(zhuǎn)換,支持高達(dá) 250 kHz 的脈寬調(diào)制 (PWM) 開關(guān)頻率;在非電機 DC-DC 應(yīng)用中,其工作頻率可達(dá) 500 kHz。

現(xiàn)在來到更高功率

功率處理范圍的另一端是 [EPC2302] ,這是一款具有 100 V/101 A 額定值且 R DS(開) 僅為 1.8 mΩ 的 GaN FET。其非常適合 40 V 至 60 V 的高頻 DC-DC 應(yīng)用和 48 V BLDC 電機驅(qū)動器。與 EPC2065 使用的帶焊條鈍化芯片封裝不同,這款 GaN FET 采用 3 × 5 mm 的低電感 QFN 封裝,頂部外露以實現(xiàn)出色的熱管理。

外殼頂部的熱阻很低,每瓦僅 0.2°C,因此熱行為優(yōu)異,化解了散熱難題。其裸露的頂部增強了頂部的熱管理,而可焊接側(cè)翼則保證了在回流焊過程中,整個側(cè)焊盤表面沾上焊料。這樣既能保護(hù)覆銅,又能在外部側(cè)翼區(qū)域進(jìn)行焊接,便于光學(xué)檢查。

與具有類似 R DS(開) 和額定電壓的同類最佳硅 MOSFET 相比,EPC2302 的尺寸不到一半,而其 QG總和QGD則小得多,且 QRR為零。因此,開關(guān)損耗和柵極驅(qū)動器損耗更低。EPC2302 的空載時間小于 10 ns,工作效率更高,同時其零值 QRR增強了可靠性并減少了電磁干擾 (EMI)。

為了運行 EPC2302,[EPC9186KIT] 電機控制器/驅(qū)動器電源管理評估板支持高達(dá) 5 kW 的電機,可提供高達(dá) 150 A有效值和 212 A頂峰的最大輸出電流(圖 4)。

EPC 的 EPC9186KIT 5 kW 評估板圖片(點擊放大)圖 4:EPC2302 的 EPC9186KIT 5 kW 評估板的頂部(左)和底部(右)。(圖片來源:EPC)

為了達(dá)到更高的額定電流,EPC9186KIT 在每個開關(guān)位置使用四個并聯(lián) GaN FET,這表明使用這種方法可以輕松達(dá)到更高的電流水平。在電機驅(qū)動應(yīng)用中,該評估板支持高達(dá) 100 kHz 的 PWM 開關(guān)頻率,并包含支持完整電機驅(qū)動變頻器的所有關(guān)鍵功能,包括柵極驅(qū)動器、穩(wěn)壓輔助電源、電壓和溫度檢測、精確電流檢測和保護(hù)功能。

總結(jié)

電機變頻器是連接基本電源和電機的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。設(shè)計更小尺寸、更高效率、更高性能的變頻器是一個日益重要的目標(biāo)。針對用于中等功率變頻器的關(guān)鍵功率開關(guān)器件,設(shè)計人員固然有多種工藝技術(shù)選擇,但首選是 GaN 器件,例如 EPC 提供的此類器件。

審核編輯 黃宇

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