前言記錄：

簡化放大器設計、適用于寬帶應用、極低的Crss、簡單的偏置電路、低噪聲、高增益(最小10dB)？

D2219UK 金電極通用型硅DMOS射頻場效應晶體管

其實拿到這個料的規(guī)格手冊不難看出，為什么標注品牌 TT Electronics 但是手冊中顯示的卻是Semelab？

TT Electronics與Semelab前者收購合并后者

2008年8月21日，傳感器和電子元件技術領域的全球領導者TT Electronics宣布，通過結合這兩家領先公司的創(chuàng)新、創(chuàng)意和技術，收購了Semelab Ltd.大部分業(yè)務的資產，TT electronics和Semelab將為汽車、國防、航空航天、電信、計算和工業(yè)電子市場的客戶提供令人振奮的新解決方案。

關鍵詞解釋

DMOS：（Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）是一種半導體器件制造技術，主要用于制造功率場效應晶體管（Power MOSFETs）。DMOS技術通過兩次擴散過程來形成晶體管的源極和漏極，從而實現(xiàn)較高的擊穿電壓和較低的導通電阻。

RF FET：（Radio Frequency Field-Effect Transistor）通常是指射頻場效應晶體管

金電極：金電極指的是該場效應晶體管的柵極使用了金作為電極材料。金具有較低的電阻率、良好的化學穩(wěn)定性和抗氧化性，因此被廣泛用作半導體器件的電極材料。使用金電極可以降低柵極電阻，改善器件的開關特性，提高其可靠性。在射頻場效應晶體管中，金電極有助于降低柵極電容，改善高頻性能。

D2219UK實物圖

TT Electronics 的 D2219UK，金電極多用途硅DMOS RF FET，該RF FET是一種功率型硅DMOS FET，具有2.5W的輸出功率、12.5V的工作電壓和高達1GHz的工作頻率。主要特點包括簡化放大器設計、適合寬帶應用、極低的反向傳輸電容Crss、簡單的偏置電路、低噪聲和高增益(最小10dB)。文檔提供了詳細的電氣特性參數(shù)、典型S參數(shù)、以及測試夾具圖。D2219UK可用于高頻/甚高頻/超高頻通信系統(tǒng)，覆蓋1MHz到1GHz的頻率范圍。

基本信息

型號：D2219UK
品牌：TT Electronics（原Semelab）
覆蓋頻率：1MHz到1GHz的頻率范圍
連續(xù)漏極電流 (ID)：2A
漏源電壓 (Vdss)：40V
柵源電壓 (Vgs)：20V
輸入電容：12皮法
最高工作溫度：200℃
最大功耗：17.5瓦
引腳：8
包裝：50/盒子
封裝：SO8封裝

應用范圍

高頻/甚高頻/超高頻通信，頻率范圍從1 MHz到1 GHz
簡化放大器設計
適用于寬帶應用
低噪聲
高增益，最小10分貝
用于1 GHz的功率放大器
負載失配容忍度高達20:1

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