SK海力士HBM4E存儲(chǔ)器提前一年量產(chǎn)
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從2026年開(kāi)始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
Kim Kwi-wook表示，雖然HBM系列存儲(chǔ)器歷來(lái)遵循每?jī)赡晖七M(jìn)一代的規(guī)律，但自第五代產(chǎn)品HBM3E起，這一產(chǎn)品周期已被顯著縮短至一年。這一變化體現(xiàn)了SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新和突破，也預(yù)示著HBM技術(shù)將在未來(lái)迎來(lái)更快的發(fā)展和應(yīng)用。通過(guò)不斷的技術(shù)革新，SK海力士正努力推動(dòng)高帶寬存儲(chǔ)器領(lǐng)域的進(jìn)步，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)于更高性能、更低延遲存儲(chǔ)解決方案的日益增長(zhǎng)的需求。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
7528瀏覽量
164340 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
973瀏覽量
38722 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
386瀏覽量
14836 -
HBM4
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
49瀏覽量
72
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測(cè)試已經(jīng)正式啟動(dòng)，為明年初的
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。
英偉達(dá)加速Rubin平臺(tái)AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲(chǔ)器
日，英偉達(dá)（NVIDIA）的主要高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源透露，英偉達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛已要求SK海力士
英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求
。 HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品，具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲(chǔ)能力，對(duì)于提升計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此，英偉達(dá)作為全球領(lǐng)先的圖形處理器(GPU)制造商，對(duì)于
英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士等存儲(chǔ)巨頭競(jìng)爭(zhēng)加劇
韓國(guó)大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長(zhǎng)崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK
SK海力士引領(lǐng)未來(lái):全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲(chǔ)技術(shù)格局
今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn)，此舉不僅將HBM
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè)，
SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高，將集成更多功能
SK海力士正全力開(kāi)發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備，意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型
SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲(chǔ)器
據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計(jì)劃在2026年量產(chǎn)16層的H
SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā)，預(yù)計(jì)2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場(chǎng)需求，SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存
SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年
SK海力士宣布，計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HB
SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲(chǔ)器HBM3E
HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
SK海力士HBM3E正式量產(chǎn)，鞏固AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI
SK海力士預(yù)計(jì)3月量產(chǎn)HBM3E，供貨英偉達(dá)
長(zhǎng)達(dá)半年的嚴(yán)格性能評(píng)估。據(jù)此，SK海力士計(jì)劃在今年3月開(kāi)始量產(chǎn)這款高頻寬記憶體，以供應(yīng)給英偉達(dá)作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產(chǎn)品B100的首選
SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲(chǔ)器
在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器（HBM3E）的開(kāi)發(fā)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論