SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說明介紹
SiC MOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導體器件，它結合了MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的高效開關特性和SiC材料的優異性能。與傳統的硅基MOSFET相比，SiC MOSFET模塊具有更高的工作溫度、更低的導通電阻、更快的開關速度和更好的熱導率，SiC MOSFET模塊的引入有助于提高系統效率，減小系統尺寸和重量，是現代電力電子技術的重要進步。
SiC MOSFET ModuleSemiQ 的 SiC MOSFET 模塊的開關損耗接近于零，大大提高了效率，減少了散熱，并且需要更小的散熱器。這些優點使 SemiQ 的產品成為各種應用的理想選擇，包括直流電源設備的電源、感應加熱整流器、焊接設備、高溫環境、太陽能逆變器、電機驅動器、電源、充電站等。
SemiQ 1200V SiC MOSFET 模塊系列產品：
SiC MOSFET Modules引出線和電路圖:
SemiQ 1200V SiC MOSFET 模塊優勢介紹：
封裝高度降低，電感降低
開關損耗低
低結到外殼熱阻
非常堅固且易于安裝
直接安裝到散熱器（獨立封裝）
特征：
高速開關SiC MOSFET
可靠的體二極管
所有部件均測試到1350V以上
用于穩定操作的開爾文參考
隔離底板
應用：
光伏和風力逆變器
電動汽車/電池充電器
儲能系統
感應加熱
SMPS和UPS
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
147文章
7240瀏覽量
214268 -
半導體
+關注
關注
334文章
27705瀏覽量
222643 -
Module
+關注
關注
0文章
69瀏覽量
12905
發布評論請先 登錄
相關推薦
SemiQ發布1700V SiC MOSFET新品
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET
SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中壓大功率轉換領域
近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉換應用設計
三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級
瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統設計更緊湊、更高效
東芝推出全新1200V SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低
納芯微發布首款1200V SiC MOSFET，為高效、可靠能源變換再添助力！
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。
瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規級可靠性測試認證
近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）通過了車規級可靠性(AEC-Q101)測試
Nexperia發布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹
EVDC-DC轉換器SemiQ的SiC產品為汽車應用提供一流的可靠性、質量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的1200VMOSFET，旨在最大限度地提高效率。DC-DC轉換器對于維護電動汽車
納芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列
納芯微近期發布了其首款1200V SiC MOSFET產品——NPC060N120A系列，該系列產品的RDSon值低至60mΩ，展現了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式，包
納芯微發布首款1200V SiC MOSFET
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現了出色的導電性能。這款產品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。
瞻芯電子推出一款車規級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z
近日，瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET
安森美發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。
工商網監
評論