英特爾宣布引入ASML的高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設備，被視作回歸技術主導地位的重要舉措。然而，有業內人士擔心這可能導致英特爾的虧損進一步加劇。此舉引發了對其是否成功回歸技術領導地位的探討。

另一方面，臺積電的年度技術論壇正在美國和歐洲如火如荼地進行，備受世人矚目的是該公司計劃在2026年量產A16技術，該技術將結合納米片晶體管和超級電軌架構。而對于英特爾斥巨資引進High-NA EUV設備，卻被曝臺積電決定繼續沿用現有EUV設備代替High-NA EUV設備，形成鮮明對比。

據悉，盡管英特爾希望借助High-NA EUV設備重回技術領導者之列，但實際市場反應部分項目經理擔憂這可能增加英特爾的生產成本并降低其盈利能力。因此，英特爾是否真的能憑借High-NA EUV設備重回技術領導者之列，仍需要時間來驗證。

在此背景下，臺積電決定A16制程不采用High-NA EUV設備的原因引起了廣泛關注。有專家分析，臺積電可能已經權衡過High-NA EUV設備的優缺點，并選擇了更為經濟實惠的方案。同時，也有人認為，如果客戶愿意支付更高的費用，臺積電仍然有可能選擇High-NA EUV設備。

此外，ASML表示，High-NA EUV設備的數值孔徑從0.33增大到0.55，具有更高的分辨率和精度，有助于簡化制造流程，縮短生產時間，提高生產效率。然而，由于設備價格昂貴，每套設備售價高達3.8億美元，比EUV設備高出近一倍，這無疑給制造商帶來了巨大壓力。

總的來說，雖然英特爾和臺積電都在積極推進先進工藝，但他們的策略和選擇各有不同。英特爾的舉動是否能幫助其重回技術領導者之列，以及臺積電是否會改變主意，采用High-NA EUV設備，這些問題都有待時間給出答案。