北京智芯微電子科技有限公司近期獲得了一項“芯片的三維建模方法、裝置、電子設備及存儲介質”專利權，授權編號CN117556777B，最近公布日期為2024年5月28日，申請日期為2024年1月12日。

此項發明涉及半導體技術領域，主要內容是提供一種芯片的三維建模方法、裝置、電子設備及存儲介質。具體步驟包括：首先獲取芯片的平面版圖，同時獲取芯片流片的層級信息與光罩信息；然后根據這些信息，確定平面版圖中芯片各層對應的層級幾何參數；接著通過邏輯運算得出芯片的輕摻雜漏結構的層級幾何參數；最后綜合利用上述信息，對芯片進行三維建模，生成包含輕摻雜漏結構對應模塊的三維結構模型。這種方法能夠精確構建包含LDD區域的三維結構模型，全面準確地展現芯片的幾何結構，確保模型中器件電學性能及可靠性的準確性，從而提高芯片仿真的精度。