據(jù)報道，三星電子在最新的半導(dǎo)體技術(shù)探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級（1b）制程DRAM的良率尚未達(dá)到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平，這一狀況引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域一直走在行業(yè)前列，早在2023年5月就宣布了其第五代10nm級（1b）制程的16Gb DDR5內(nèi)存開始量產(chǎn)。隨后，僅僅數(shù)月后的9月，該公司又成功開發(fā)了基于同一制程的32Gb DDR5內(nèi)存。這些技術(shù)突破意味著三星能夠在不使用TSV硅穿孔技術(shù)的情況下，生產(chǎn)出容量高達(dá)128GB的高密度DDR5 RDIMM內(nèi)存模塊。

然而，在追求技術(shù)領(lǐng)先的同時，三星也面臨著良率問題。為了解決這一挑戰(zhàn)，三星已于上個月成立了專門的工作小組，致力于提高第五代10nm級（1b）制程DRAM的良率。這一舉措顯示了三星對于解決技術(shù)難題的決心和承諾。

隨著工作小組的成立和不斷努力，我們期待三星能夠盡快解決良率問題，并繼續(xù)在全球半導(dǎo)體市場中保持領(lǐng)先地位。