一種新的MLCC陶瓷電容用于電路靜電ESD保護(hù)的電容容值計算方法
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Part 01
前言
Part 02
實(shí)例計算
W0=(Vesd0-Vcl)*Vcl*Cesd0
其中Vesd0表示規(guī)格書中IC允許承受的最大ESD電壓（比如下圖的5000V），可以在規(guī)格書中找到這個參數(shù)，Vcl表示IC內(nèi)部ESD防護(hù)模塊的鉗位電壓(比如下圖的64V)，Cesd0表示IC ESD測試的放電電容（比如下圖的100pF）。
W1=(Vesd1-Vcl*(1+Cext/Cesd1))*Vcl*Cesd1
其中Vesd1表示產(chǎn)品實(shí)際測試的最大ESD電壓，比如8KV，Vcl表示IC內(nèi)部ESD防護(hù)模塊的鉗位電壓，Cext表示外部添加的ESD電容，Cesd1表示產(chǎn)品實(shí)際測試的ESD 放電電容（比如330pF）。
3.添加的外部ESD電容容值如何計算？
基于IC實(shí)際吸收的ESD能量W1要小于IC允許的最大ESD脈沖能量W0可以計算出外部電容的最小容值：
Cext_min=((Vesd1-Vcl)*Cesd1/Vcl)-W0/Vcl*Vcl
以接觸放電8KV，源電容330pF，放電電阻2kΩ，可以計算出Cext_min>33nF。
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原文標(biāo)題：一種新的MLCC陶瓷電容用于電路靜電ESD保護(hù)的電容容值計算方法
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