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動態調整電源芯片輸出電壓

電子Online ? 來源:24c01硬件電子 ? 2024-07-17 11:44 ? 次閱讀

這個是前陣子紅外觸摸框上的部分電路圖,主要功能是通過調整LDO輸出電壓間接控制發射燈的輸出功率,電路圖如下:

wKgaomaXPheAawDIAAGdbE4iZXM865.jpg

可以看到,電路通過八選一模擬開關SGM48751選擇不同的分壓電阻,從而達到讓LDO的VCC_TLED輸出不同的電壓值,例如單片機控制管腳VCTRLA,VCTRLB,VCTRLC輸出分別為000,那么將控制X0與通道X相連,SGM48751的真值表如下:

wKgaomaXPheAYXnHAABplofqUmE097.jpg

那么 此時LDO的反饋電阻分別為R106 = 64.9K和R112 =100K(對應到下圖就是R1 = 64.9K,R2 = 100K),此時輸出電壓應該為2V左右。SGM2019的輸出電壓公式如下圖所示:

wKgZomaXPheAMqNjAABUe7k5I6k586.jpg

wKgaomaXPheATW0YAAAc-YmLWp0704.jpg

那么以此類推,便可以通過控制VCTRLA,VCTRLB,VCTRLC為000~111這8種狀態,來讓LDO輸出8種不同的電壓值,從而達到調節發射燈功率的目的。這種調節輸出電壓的方式還是很值得學習借鑒的。

在某些場合,需要針對 SOC主頻的不同,需要動態調整 SOC 的 Core Power。通過調整內核供電電壓,實現SOC主頻的調整。也可以使用MOS管去調整FB反饋電阻大小。

例如:

SSD210在Core Power=0.9V時,主頻為800MHz。

在Core Power=1.0V時,主頻為1GHz

但是無論主頻軟件設置 800MHz/1GHz,都需要 Core Power=1.0V 啟動(SSD210)。

那么硬件電路如何設計調整內核供電呢?

電路圖如下,采用Q15控制反饋電阻,上電時,Q15導通,此時反饋電壓等于輸出電壓在50KΩ和75KΩ(100K并聯300K)分壓值,此時電路輸出1V即提供內核啟動電壓。

當系統工作后,比如系統想要降低功耗,或者在高溫情況下,需要動態調壓,降低芯片主頻以減少發熱。只需要通過使用IO輸出低電平,使Q15截止;那么,反饋電壓等于輸出電壓在50KΩ與100KΩ分壓值,便可調整Core的供電電壓為0.9V,從而將SOC的主頻降低為0.8MHz。

wKgZomUJYymAU6N7AAMKekYeY7Y983.jpg

本文轉載自24c01硬件電子公眾號

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原文標題:動態調整電源芯片輸出電壓

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