CPM核心板,#ZLG首款百元內64位1G主頻工業級核心板,BGA封裝集成處理器與DDR,不含數據存儲器件。本文將從電路設計和PCB布線角度,指導用戶如何通過eMMC擴展存儲,以快速完成設計。
?eMMC原理圖設計
eMMC擴展電路原理圖設計包括電容、上拉電阻、串聯電阻等方面。圖1是設計完成的電路圖。
![69e45bf4-4a1c-11ef-817b-92fbcf53809c.png](https://file1.elecfans.com//web2/M00/FE/57/wKgZomahtSaAdWlRAAM7CThhQTg804.png)
圖1 eMMC擴展電路原理圖下面對電路設計進行一些說明:
- RSTN通過10K電阻上拉至VccQ并需并聯一個0.1uF對地電容,可提高抗干擾能力。
- eMMC_CMD外接10K電阻上拉至VccQ,eMMC_D[7:0]預留10K電阻上拉至VccQ,因CMD和Data傳輸起始位是以低電平開始所以CMD和Data需要默認上拉,實際使用阻值可參考手冊。
- eMMC_Data_Stobe 在eMMC端串電阻,阻值建議為22~33Ω之間,并預留47K下拉電阻,因eMMC協議規定先采上升沿信號再采下降沿信號,所以DS需要默認下拉。
- eMMC_CLK 在MCU端串電阻,阻值建議為22~33Ω之間,為實現阻抗匹配,減少信號反射,實際以調試為準。
- VDDi引腳需要外接一個電容,以穩定Core電壓,一般建議為1uF~ 4.7uF,實際使用容值可參考手冊。
- VCC、VCCQ電源電路的濾波,采用大小電容并聯的方式,大電容應該大于2.2uF,小電容可以在0.1uF左右,實際使用容值可參考手冊。
?底板eMMCPCB布線說明
eMMC布線好壞直接影響eMMC能否使用以及eMMC的讀寫性能,相比原理圖設計,eMMC的布線會更加重要。下面對PCB布線細節進行一些說明。
![6a174ad2-4a1c-11ef-817b-92fbcf53809c.png](https://file1.elecfans.com//web2/M00/FE/57/wKgZomahtSeAfUldAAOJvH6FCHY289.png)
圖2 PCB布線圖
- 在CPM核心板扇出的eMMC信號引腳周圍就近布局eMMC。
- eMMC的數據信號、時鐘信號和控制信號需要做阻抗50Ω±10%匹配管控。
- 時鐘、數據、命令信號需要做等長,誤差小于50mil且走線總長不要超過3000mil(誤差和等長需加上核心板的約束數據),走線越短越好,以便減少信號線上的寄生電容等參數,使信號線上總的寄生電容少于30pF。
- CLK和RST_N長度差在1000mil以內。
- 時鐘信號需要包地處理,地線每隔200mil打一個地過孔。
- eMMC信號間的間距至少2W ,eMMC 信號與其它信號間間距建議3W至少2W,以便減少不必要的串擾信號。
- eMMC個電源管腳的濾波電容靠近對應的管腳放置,盡量保證一個管腳放一個。
- eMMC所有信號少換層打孔,過孔數量盡量不要超過兩個,eMMC 信號換層前后,參考層建議都為地平面,在信號過孔周圍建議添加地回流過孔,以改善信號回流路徑,所有信號線參考平面必須完整不能跨分割。
- 內部走不出來的信號可以從NC PAD走,不能從RFU PAD上走線。
?已驗證的eMMC型號
?ZLG首款百元內64位1G主頻工業級核心板
ZLG致遠電子創新推出超小型CPM核心板,采用 BGA 封裝形式,集成處理器、DDR內存及NorFlash,并配備外置電源模塊。用戶可依根據產品需求靈活搭配不同容量的EMMC存儲器,實現定制化配置。CPM核心板繼承了易開發、高穩定性的傳統優勢,并在靈活性與性價比上取得新突破,為用戶帶來更多元化的應用體驗。
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