一、引言

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長(zhǎng)的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下，碳化硅（SiC）功率器件憑借其獨(dú)特的材料特性和卓越的性能優(yōu)勢(shì)，成為了電力電子領(lǐng)域的一顆璀璨新星。本文將深入探討碳化硅功率器件的物性特征、技術(shù)優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用前景以及面臨的挑戰(zhàn)。

二、碳化硅材料的物性與特征

碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）元素組成的化合物半導(dǎo)體材料。與硅材料相比，SiC具有更高的禁帶寬度、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度以及熱導(dǎo)率，這使得SiC功率器件在高壓、高溫、高頻等惡劣環(huán)境下具有更優(yōu)異的性能。具體來說，SiC材料的禁帶寬度是硅的3倍，這有助于提高器件的耐高溫性能；SiC的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的10倍，使得SiC器件能夠在更高的電壓下工作；SiC的熱導(dǎo)率是硅的3倍，有助于降低器件的工作溫度，提高可靠性。

三、碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

高耐壓性能

SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，因此與Si器件相比，SiC能夠以更高的雜質(zhì)濃度和更薄的厚度的漂移層制作出600V～數(shù)千V的高耐壓功率器件。這種高耐壓性能使得SiC功率器件在高壓輸變電、新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

低導(dǎo)通電阻

對(duì)于高耐壓功率器件來說，阻抗主要由漂移層的阻抗組成。由于SiC的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度遠(yuǎn)高于硅，因此采用SiC材料可以得到單位面積導(dǎo)通電阻非常低的高耐壓器件。理論上，相同耐壓的器件，SiC的單位面積的漂移層阻抗可以降低到Si的1/300，從而顯著降低器件的功率損耗。

高頻性能

傳統(tǒng)的Si材料為了改善伴隨高耐壓化而引起的導(dǎo)通電阻增大的問題，主要采用如IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）等少數(shù)載流子器件（雙極型器件）。然而，這種器件存在開關(guān)損耗大的問題，限制了其在高頻領(lǐng)域的應(yīng)用。SiC材料卻能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的多數(shù)載流子器件（肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET）去實(shí)現(xiàn)高耐壓，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn)“高耐壓”、“低導(dǎo)通電阻”、“高頻”這三個(gè)特性。這使得SiC功率器件在高頻通信、雷達(dá)、電子對(duì)抗等領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢(shì)。

高溫穩(wěn)定性

SiC的帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。這使得SiC功率器件在航空航天、石油鉆探、核能發(fā)電等高溫環(huán)境下具有廣闊的應(yīng)用前景。

四、碳化硅功率器件的應(yīng)用前景

隨著新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)電力電子器件的性能要求越來越高。碳化硅功率器件憑借其卓越的性能優(yōu)勢(shì)，將在這些領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。具體來說，SiC功率器件可用于新能源汽車的充電樁、電機(jī)控制器、車載逆變器等關(guān)鍵部件中，提高車輛的性能和可靠性；在智能電網(wǎng)中，SiC功率器件可用于高壓直流輸電、柔性直流輸電等領(lǐng)域，提高電網(wǎng)的輸電能力和穩(wěn)定性；在5G通信中，SiC功率器件可用于基站、微波器件等關(guān)鍵部件中，提高通信系統(tǒng)的性能和可靠性。

五、碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

盡管碳化硅功率器件具有諸多優(yōu)勢(shì)，但其發(fā)展仍面臨一些挑戰(zhàn)。首先，SiC材料的制造成本相對(duì)較高，這限制了其在大規(guī)模應(yīng)用中的推廣；其次，SiC功率器件的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)相對(duì)復(fù)雜，需要高度的專業(yè)知識(shí)和技術(shù)支持；最后，SiC功率器件在高溫、高濕等惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性仍需進(jìn)一步研究和驗(yàn)證。

六、結(jié)論

碳化硅功率器件以其獨(dú)特的材料特性和卓越的性能優(yōu)勢(shì)，成為了電力電子領(lǐng)域的一顆璀璨新星。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的逐漸降低，SiC功率器件將在新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域發(fā)揮越來越重要的作用。未來，我們有理由相信，碳化硅功率器件將成為推動(dòng)電力電子技術(shù)發(fā)展的重要力量。

無錫國(guó)晶微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是寬禁帶第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè)，從事碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管，碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機(jī)集成電路等產(chǎn)品芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售并提供相關(guān)產(chǎn)品整體方案設(shè)計(jì)配套服務(wù)，總部位于江蘇省無錫市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)，并在杭州、深圳和香港設(shè)有研發(fā)中心和銷售服務(wù)支持中心及辦事處。

公司具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)實(shí)力，專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品，同時(shí)提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持服務(wù)，使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠，并具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。由于其具有高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性，即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，大幅降低開關(guān)損耗，使元器件更小型化及輕量化，效能更高效，提高系統(tǒng)整體可靠性，可使電動(dòng)汽車在續(xù)航里程提升10%，整車重量降低5%左右，并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運(yùn)行。

特別在高低壓光耦半導(dǎo)體技術(shù)方面更是擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。在國(guó)內(nèi)創(chuàng)先設(shè)計(jì)開發(fā)了28nm光敏光柵開關(guān)PVG芯片技術(shù)，并成功量產(chǎn)應(yīng)用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrmsSOP超小封裝及3750kVrms隔離增強(qiáng)型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝，單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品，另包括200VSOIMOS/LIGBT集成芯片、100VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機(jī)等集成電路產(chǎn)品，均獲得市場(chǎng)及各重點(diǎn)科研單位、檢測(cè)機(jī)構(gòu)的新產(chǎn)品認(rèn)定。

公司核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)中大部分工程師擁有碩士及以上學(xué)位，并有多名博士主持項(xiàng)目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理的規(guī)范體系，在電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術(shù)，擁有多項(xiàng)國(guó)際、國(guó)內(nèi)自主發(fā)明專利。

“國(guó)之重器，從晶出發(fā)，自強(qiáng)自主，成就百年”是國(guó)晶微半導(dǎo)體的企業(yè)目標(biāo)，我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間，為客戶提供精良的產(chǎn)品服務(wù)，我們真誠(chéng)期待與您攜手共贏未來。