無論是硬件調(diào)試還是我們仿真，都會接觸到芯片的驅(qū)動配置，像我們熟悉的DDR控制器，一般也會有很多種驅(qū)動的選擇。例如34歐姆，40歐姆等內(nèi)阻的驅(qū)動配置，又或者是fast/mid/slow driver的配置。其中前者主要是改變輸出電平的幅度，內(nèi)阻越低，輸出電平越高；而后者主要體現(xiàn)在斜率方面，fast是輸出高斜率的電平，也就是上升/下降沿會比較陡，而slow相對來說會比較緩。所以我們一般所說的驅(qū)動強(qiáng)就是指上面的兩個方面或者至少其中一個方面。例如下面這個DDR控制器接50歐姆負(fù)載后的驅(qū)動輸出波形如下：其中在fast斜率下不同驅(qū)動內(nèi)阻的差異如下，更多的差異是在電平上面。

另外如果都是40歐姆內(nèi)阻驅(qū)動，不同的驅(qū)動斜率的輸出波形如下，可以看到，電平幅度是相同的，差別是體現(xiàn)會上升沿的斜率上面。

對于我們而言，我們感觀上肯定是覺得驅(qū)動越強(qiáng)，幅度越高，上升沿越陡是越好的，真的是這樣嗎？？對于驅(qū)動內(nèi)阻是不是越小越好，上升沿的斜率是不是越陡越好，我們還是以上一期文章中的這個地址信號的拓?fù)鋪矸抡婵纯础?/p>

我們先固定40歐姆驅(qū)動，看上升沿斜率對信號的影響，第一個顆粒的眼圖如下所示：

從幾個斜率驅(qū)動的波形來看，貌似fast的上下沖比較大，而slow的眼寬又有點小，middle模式應(yīng)該會是最佳的選擇。

如果我們固定斜率為fast，看看不同驅(qū)動內(nèi)阻的影響，眼圖如下：

可見驅(qū)動斜率相同的情況下，不同內(nèi)阻的確只能改變電平的幅度，對上沖下沖幾乎沒有改善。

至少我們從地址信號上看，的確不是上升沿越陡的輸出波形質(zhì)量越好，這是因為地址信號是一拖多的結(jié)果，存在多處的反射，而且反射比較復(fù)雜。如下圖所示，如果我們關(guān)注這個顆粒的頻域回?fù)p和插損的情況，你會發(fā)現(xiàn)反射在比較寬的頻域都存在。

因此在反射的過程中，越陡的沿高頻能量會越多，這樣的話其實對反射越敏感，會有很多高頻的能量參與到反射中，所以我們會看到時域上的振蕩。這時選擇一個相對沿緩一點的驅(qū)動，由于高頻能量本身不多，反而能“過濾”掉一些反射的尖峰，這樣的話振蕩反而會變得小一點，當(dāng)然太緩的話大家都知道不好，因此又會影響到時序的窗口大小。