傳統(tǒng)的SRAM是一種易失性存儲(chǔ)器，這意味著它需要持續(xù)供電以維持其中的數(shù)據(jù)；一旦斷電，數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。相比之下，非易失性存儲(chǔ)器（如閃存）可以在沒(méi)有電源的情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)。SRAM兼容的非易失性存儲(chǔ)器可以通過(guò)鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）來(lái)實(shí)現(xiàn)非易失性。FRAM鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，這種材料即使在斷電后也能保持其狀態(tài)。

鐵電存儲(chǔ)器是一種具有非易失性和隨機(jī)訪問(wèn)特性的存儲(chǔ)器，非易失性允許在斷電時(shí)保留數(shù)據(jù)，隨機(jī)訪問(wèn)則能夠?qū)崿F(xiàn)快速數(shù)據(jù)寫(xiě)入。由于鐵電存儲(chǔ)器能夠在電源故障和斷電時(shí)安全地存儲(chǔ)正在寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，因此可以確保設(shè)備中記錄的參數(shù)信息和日志數(shù)據(jù)的安全。采用鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品的應(yīng)用已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工廠自動(dòng)化、測(cè)量設(shè)備、ATM和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。

當(dāng)方案使用SRAM記錄數(shù)據(jù)時(shí)，需要裝備有防止突然斷電的后備電池。由于鐵電存儲(chǔ)器具備非易失、按字節(jié)高速讀寫(xiě)和高讀寫(xiě)耐久度等特征，則該方案通過(guò)將SRAM替換成鐵電存儲(chǔ)器，可以省去電池。省去電池后，不僅可以減少產(chǎn)品的零部件成本和電池維護(hù)成本，還有助于優(yōu)化產(chǎn)品尺寸。

SF25C20性能參數(shù)介紹：

? 容量：2M bit，提供SPI接口；

? 工作頻率是25兆赫茲；

? 高速讀特性：支持40MHz高速讀命令；

? 工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃；

? 封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS；

? 性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）；

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