隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加，對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切，這直接推動了高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的快速增長，并對HBM的性能提出了更為嚴苛的要求。近日，韓國SK集團董事長崔泰源透露，英偉達公司首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出請求，希望其能提前六個月供應(yīng)最新一代的高帶寬內(nèi)存芯片——HBM4。

HBM4作為內(nèi)存技術(shù)的最新成果，相較于前代HBM3，在多個方面實現(xiàn)了顯著的技術(shù)突破。首先，在內(nèi)存密度方面，HBM4大幅提升，支持更大的存儲容量，單個堆棧的容量即可達到32GB甚至更高，從而滿足了高性能計算和AI應(yīng)用對于大容量存儲的迫切需求。

其次，在數(shù)據(jù)傳輸方面，HBM4同樣表現(xiàn)出色。其數(shù)據(jù)傳輸速率高達6.4 GT/s，接口寬度也從1024位升級至2048位，這一升級顯著增強了并發(fā)數(shù)據(jù)傳輸?shù)哪芰Γ行Ы档土藬?shù)據(jù)傳輸延遲，特別是在多處理器或多GPU系統(tǒng)中，其優(yōu)勢更為明顯。

此外，HBM4還具備低功耗特性，這對于需要長時間運行的高性能計算和AI應(yīng)用而言，無疑是一個巨大的福音。低功耗不僅有助于降低系統(tǒng)的整體能耗，還能提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

據(jù)悉，英偉達已與SK海力士簽訂了優(yōu)先供應(yīng)協(xié)議，雙方將共同致力于高性能內(nèi)存技術(shù)，特別是HBM技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用。此前，英偉達、SK海力士以及臺積電已宣布深化三方合作，共同推動HBM4技術(shù)的研發(fā)與量產(chǎn)。預(yù)計HBM4將于2026年開始量產(chǎn)，屆時將為下一代計算和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用帶來全新的可能性。

英偉達還計劃在2026年推出名為“Rubin”的下一代數(shù)據(jù)中心GPU架構(gòu)，該架構(gòu)將集成HBM4芯片，以滿足日益增長的高帶寬需求。隨著AI相關(guān)需求的不斷增加，HBM4預(yù)計將在AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、汽車駕駛等高性能計算領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。特別是在AI訓(xùn)練與推理模型中，高階深度學(xué)習(xí)AI GPU規(guī)格的提升將推動對HBM產(chǎn)品的需求和技術(shù)更迭。

在強勁的AI技術(shù)需求驅(qū)動下，英偉達希望通過HBM4來確保其產(chǎn)品能夠支持這些快速增長的高帶寬需求，從而保持其在高性能計算和AI應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。