uSGT MOSFET的市場前景

SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。SGT-MOS嚴格意義上來說，在工藝上并沒有特別之處，只是在傳統溝槽MOSFET的工藝基礎上做結構改進，提升了元器件愛你的穩定性、低損耗等性能而已。具體一點就是提升了器件的開關特性和導通特性，降低了器件的特征導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。

如下圖，左邊的是傳統溝槽MOSFET的結構，右圖是SGT-MOSFET的結構圖。從圖中可以明顯看到，兩者結構很接近，簡而言之，差異在于SGT-MOSFET的溝槽更深。

uSGTMOSFET起源

屏蔽刪技術最早商業化是在2008年，由分立器件大廠Infineon推出，應用目的解決高頻終端的一些問題，例如解決導通電阻過高、開關損耗過大等問題。Infineon通過優化電流通路布局并深挖溝槽深度，以實現能量密度最大化。

uSGT MOSFET特征

SGT工藝其實普通溝槽更簡單，可以實現開關損耗更小的目標。

SGT比普通溝槽工藝挖得更深，大約是后者的3-5倍，可以使用更多的外延體積來阻擋電壓，可以實現SGTMOSFET的內阻變低的目標，比普通MOSFET低2倍以上。

SGT工藝大幅度提高了芯片的能量密度，因此也就減少了芯片面積。相較于傳統的溝槽場效應晶體管，同等功耗下，SGT MOSFET芯片面積可減少40%。

芯片面積的減少，工藝變得更簡單，藝簡單減少了工藝步驟和掩膜的數量，使得SGT的制造成本下降，變得更為有競爭優勢。

與傳統的溝槽工藝相比，SGT的溝槽更深，使得基材體積更多低來吸收EAS能量，SGT MOSFET可以承受更高的雪崩擊穿電壓和浪涌電流，以至于SGT MOSFET表現出的抗雪崩能力更優勢。

除了SGT工藝技術帶來以上的優勢，封裝技術的進步也使得SGT MOSFET的優勢更為突出。

uSGT MOSFET的市場前景

MOSFET自誕生以來，工藝不斷改進，先后經歷了平面工藝（VDMOS）、溝槽工藝（Trench）和SGT工藝（Steep Groove Technology）。

SGT工藝作為一種新型的MOSFET技術，受到了中國本土半導體廠商的重視，并做了大量的投資。作為一種頂尖的功率半導體器件技術，非常受到市場的青睞。

從競爭態勢來看。國外功率半導體器件廠家，感興趣的是大功率、高利潤的器件，例如IGBT、第三代寬禁帶半導體、大功率模塊，目標市場涵蓋新能源風電、高鐵以及工業控制、家電等。這部分器件和市場是技術更為領先的、利潤更高的，是國外功率器件半導體廠家的心尖肉，幾乎研發投入、市場推廣、技術支持都放在這部分器件和市場上。而SGT-MOSFET技術最適用的產品是中低壓MOSFET，20V-150V，-50V-250V的系列，利潤不是那么高，尤其SGT-MOSFET溝槽工藝加工更為簡單，這對中國功率半導體器件廠家來說，并不是很高深的技術，中國國產化替代率高，因此存在非常明顯的態勢，國外廠家在推出、國產化則積極推動替代。

國外功率半導體廠家主要有德國英飛凌、美國安森美、美國威世、美國AOS（萬代）、意大利意法半導體、日本東芝、日本瑞薩、荷蘭安世半導體，這幾家廠商在過去不僅占據全球市場的主要份額，也占據中國國內市場80%以上的份額。經過發展，我國屏蔽柵MOSFET生產技術逐步提高、成熟穩定，憑借高性價比、技術優勢加速收復國內市場份額，國產率逐步提高。

SGT MOSFET廠家主要有華潤微電子、士蘭微電子、無錫新潔能、東微半導體、捷捷微電子、揚杰電子、華微電子、長晶科技等，非上市公司 LRC（樂山無線）也開始SGT MOSFET的研發和生產。

從功率半導體器件近年來的發展趨勢來看，MOSFET雖然占比仍是最大的分立器件產品，但比重在減少，而IGBT、SiC的比重在增加。但從更為細分的比重來看，MOSFET占比雖然在減少，但SGT-MOSFET卻是在增加的。

從下圖我們可以看到，2023年全球SGT-MOSFET全球的市場規模是19.48億美金，中國市場規模則是8.53億美金（約占全球市場規模的46.79%）。到2030年，SGT-MOSFET全球市場規模擴大到33.15億美金，7年時間里，每年復合增長率約7.8%，SGT-MOSFET在中國市場規模可以達到15.54億美金，7年時間里，每年復合增長率約8.95%。

從SGT MOS耐壓類型來看，額定電壓值≤100V的SGT-MOSFET占絕對多數，主要應用終端是汽車電子、消費、工業、儲能等。從一些行業分析報告得出的結論來看，預計到2030年份額將達到50.61%。同時就終端應用來看，汽車電子在2023年份額大約是22.54%，未來幾年CAGR大約為12.31%。汽車電子是未來SGT MOSFET一大應用市場。在可預見的未來幾年，如果第三代寬禁帶半導體興起，SGT MOSFET也不會受到影響，極可能出現的格局是，SGT MOSFET占據中低壓、大電流低導通電阻的產品與GaN相峙而立；SiC則占據高壓大電流類的產品。