隨著數據中心為了滿足人工智能（AI）計算的龐大處理需求而變得越來越耗電，提高能效變得至關重要。與一般的搜索引擎請求相比，搭載AI的引擎需要消耗超過10倍的電力。加快功率半導體的創新以改善能效是實現這些技術大趨勢的關鍵。安森美（onsemi）的PowerTrench T10系列和EliteSiC 650V MOSFET的強大組合可以顯著降低能量轉換過程中的功率損耗，將對下一代數據中心的需求產生積極的影響。

該方案在更小的封裝尺寸下提供了無與倫比的能效和卓越的熱性能。通過使用PowerTrench T10系列和EliteSiC 650V解決方案，數據中心能夠減少約1%的電力損耗。如果在全球的數據中心實施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時的能源消耗，相當于每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量 。

EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的開關性能和更低的器件電容，可在數據中心和儲能系統中實現更高的效率。與上一代產品相比，新一代SiC MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。與超級結 (SJ) MOSFET 相比，它們在關斷時沒有拖尾電流，在高溫下性能優越，能顯著降低開關損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時減小系統元件的尺寸，從而全面降低系統成本。

PowerTrench T10 系列專為處理對DC-DC功率轉換級至關重要的大電流而設計，以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過屏蔽柵極溝槽設計實現的，該設計具有超低柵極電荷和小于 1 毫歐的導通電阻RDS(on)。此外，軟恢復體二極管和較低的 Qrr 有效地減少了振鈴、過沖和電氣噪聲，從而確保了在應力下的最佳性能、可靠性和穩健性。該組合解決方案還符合超大規模運營商所需的嚴格的開放式機架 V3 (ORV3) 基本規范，支持下一代大功率處理器。

安森美憑借其PowerTrench T10系列和EliteSiC 650V MOSFET的出色表現，成功入圍了由elexcon 2024深圳國際電子展和電子發燒友網聯合發起的AI年度創新產品獎。這表明了安森美的這些產品在技術創新和行業影響方面得到了認可。

安森美加速SiC創新

安森美提供智能電源和智能感知技術，加速推動汽車功能電子化和汽車安全、可持續電網、工業自動化以及5G和云基礎設施等細分領域的變革創新。安森美位列《財富》美國500強，也被納入納斯達克100指數和標普500指數。

SiC是電動汽車和光伏逆變器等應用的關鍵技術。安森美是業內少有的端到端SiC制造商，包括 SiC 晶錠批量生長、晶圓制造、外延、器件制造、出色的集成模塊和分立封裝方案，掌控著從襯底到最終模塊的每一個生產步驟，在保持產品質量和性能的同時還能優化成本、簡化運營、優化效率并保證供應。

為推進全球電氣化轉型，安森美加速SiC創新，宣布計劃在 2030 年前加速推出多款新一代SiC產品。最新推出的EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣化應用的關斷損耗降低多達 50%，該平臺采用經過實際驗證的平面架構，以獨特方式降低了導通損耗和開關損耗。由于能夠在更高的開關頻率和電壓下運行，EliteSiC M3e MOSFET可有效降低電源轉換損耗，這對于電動汽車動力系統、直流快速充電樁、太陽能逆變器和儲能方案等廣泛的汽車和工業應用至關重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 將促進數據中心向更高效、更高功率轉變，以滿足可持續人工智能引擎指數級增長的能源需求。

此外，安森美還提供更廣泛的智能電源技術，包括柵極驅動器、DC-DC 轉換器、電子保險絲等，并均可與 EliteSiC M3e 平臺配合使用。通過這些安森美優化和協同設計的功率開關、驅動器和控制器的端到端一體化技術組合，可實現多項先進特性集成，并降低整體系統成本。

安森美因其在智能電源和智能感知技術領域的卓越貢獻，已成功入圍由elexcon 2024深圳國際電子展和電子發燒友網聯合發起的年度領軍企業獎。