近日，上海貝嶺市場工業市場經理冒晶晶受邀參加由全球技術信息集團 ASPENCORE舉辦的“IIC SHENZHEN-國際集成電路展覽會暨研討會”。會議中，上海貝嶺工業市場經理冒晶晶進行了 “功率器件助推上海貝嶺積極融入新能源賽道”的主題演講并與出席會議的各大半導體行業專家及相關產業嘉賓進行了交流學習。

此次會議中，上海貝嶺憑借第7代750V 275A 溝槽柵場阻止結構IGBT芯片(BLQG275T75F)榮獲“年度功率半導體/驅動器”獎項。

BLQG275T75F產品基于貝嶺Trench-FS Gen7 技術平臺，具有正向壓降小、開關速度快，開關損耗低、高可靠性等特點。采用第七代微溝槽柵技術，優化了導通壓降和開關損耗，實現更好的輸出特性及高可靠性。采用優化的多層場截止技術，改善了器件在不同母線電壓和柵電阻下的短路表現。采用優化的結終端技術，實現175℃的最高工作溫度、高可靠性以及強魯棒性。

該芯片完成全面的車規認證，特別為工作頻率在5 至20kHz的硬開關電路設計，主要面向新能源汽車應用市場。該芯片針對電動汽車驅動應用特點特別優化損耗分布，優化正溫度系數，使得該芯片易于并聯使用，保證了產品的易拓展性，可通過不同封裝形式滿足不同功率等級的應用。

應用：以TO-247PLUS 單管封裝可廣泛應用于最高40kW的汽車主驅逆變器，適合A0級和A00級純電動汽車。以HPD等形式的750V IGBT功率模塊可廣泛應用于最高120kW的汽車主驅逆變器，適合A級純電動及混合動力汽車。