ESD HBM測試結果差異較大的原因，通常包括設備/儀器差異、?校準和維護水平不同、?環(huán)境條件差異、?測試樣本差異、?測試操作員技能和經(jīng)驗差異以及測試方法選擇的不同。

其中，可能導致結果差異較大的首先應屬于設備和儀器差異，其次是測試操作員技能和經(jīng)驗，其他原因一般不會導致特別大的差異。

季豐電子ESD實驗室已通過ANSI20.20的環(huán)境認證、CNAS、IEC17025等管理體系的認證，實驗室對設備校準和環(huán)境的管理十分嚴格，可以有效保證檢測結果的準確性和時效性。

案例分析

案例描述：OUT 管腳對VDD管腳打負向靜電，一個結果PASS -6000V,一個結果-2500V失效，同批次的芯片經(jīng)過了功能篩選，使用的同一家品牌的設備測試HBM，同一家實驗室，然而出現(xiàn)了結果差異較大的問題。

有了以上的信息支撐，實驗室在對比了測試程序，測試方案及方法，同一個程序，同一個設備，同樣的測試規(guī)范，沒有發(fā)現(xiàn)有什么問題。最后確認是使用了不同的通道導致的差異。問題是，到底是測試板的問題還是放電通道的問題，是不是通道放電異常導致的呢？實驗室直接抓取了兩個測試板使用的對應通道的短路放電電流波形，如下所示：

如圖AB,從圖中可得知

放電能力相當，而懷疑點恰恰在于上升沿Tr參數(shù)有略差，A 圖中Tr 為8.793ns， B圖中Tr為6.520ns，雖有差異，但均是符合Js001的測試規(guī)范。

對比了兩塊測試板的通道位置的距離，A板是跨通道板走線稍長，B板則是在同一通道板走線較近一些，所以這個Tr的不同也可以理解，懷疑是芯片對Tr是比較敏感的，所以果斷通過TLP測試的驗證。

圖A

圖B

如圖TLP-A，TLP-B

可以清楚地看出，在圖TLP-A 上升沿采用的是10ns，結果2.7A還沒有出現(xiàn)失效，但是在圖TLP-B中，上升沿采用的是2ns，結果1.6A就出現(xiàn)了失效；

所以經(jīng)過折算到HBM來看，此兩次測試的HBM結果不同，結論是因為芯片對靜電的上升沿非常敏感導致。

圖TLPA

圖TLPB

季豐電子

季豐電子成立于2008年，是一家聚焦半導體領域，深耕集成電路檢測相關的軟硬件研發(fā)及技術服務的賦能型平臺科技公司。公司業(yè)務分為四大板塊，分別為基礎實驗室、軟硬件開發(fā)、測試封裝和儀器設備，可為芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等半導體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

季豐電子通過國家級專精特新“小巨人”、國家高新技術企業(yè)、上海市“科技小巨人”、上海市企業(yè)技術中心、研發(fā)機構、公共服務平臺等企業(yè)資質認定，通過了ISO9001、 ISO/IEC17025、CMA、CNAS、IATF16949、ISO/IEC27001、ISO14001、ANSI/ESD S20.20等認證。公司員工近1000人，總部位于上海，在浙江、北京、深圳、成都等地設有子公司。