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MCU新玩家:納芯微推出NS800RT系列實時控制MCU

eeDesigner ? 2024-11-21 15:05 ? 次閱讀

納芯微宣布聯(lián)合芯弦半導體(ChipSine),推出NS800RT系列實時控制MCU。該系列MCU憑借更加高效、功能更強大的實時控制能力和豐富的外設,使工程師能夠在光伏/儲能逆變器、不間斷電源工業(yè)自動化、協(xié)作機器人新能源汽車大/小三電、空調壓縮機等系統(tǒng)中,實現(xiàn)皮秒(萬億分之一秒)級別的PWM控制,從而顯著提升系統(tǒng)運行精度和效率。

NS800RT系列實時控制MCU的首發(fā)型號包括NS800RT5039,NS800RT5049和NS800RT3025,

  • 分別采用單顆主頻為260MHz和200MHz的Arm Cortex-M7內核
  • 支持分支預測、DSP指令集和FPU
  • NS800RT系列還配備了256KB SRAM,32KB高速緩存(I-Cache, D-Cache)
  • 最高256KB的超大緊耦合內存(ITCM, DTCM),通過更快的讀寫速度,顯著提升了內核綜合處理性能。
  • 該系列器件符合車規(guī)AEC-Q100認證標準,支持汽車ISO26262 ASIL B與工業(yè)IEC61508 SIL2等級的功能安全,并
  • 且內設AES-128/256和TRNG算法,進一步提升了信息安全。

NS800RT系列實時控制MCU選型

NS800RT系列實時控制MCU首發(fā)型號NS800RT5039,NS800RT5049和NS800RT3025分別提供工規(guī)和滿足AEC-Q100 Grade 1認證的車規(guī)版本,具體選型如下。NS800RT系列現(xiàn)已支持送樣,可聯(lián)系郵箱sales@novosns.com進行申請。

NS800RT系列選型表.jpg

產(chǎn)品特性

  • 搭載Arm CortexM7內核
  • 支持分支預測、DSP指令集和FPU
  • 配備256KB SRAM,
  • 配備32KB高速緩存(I-Cache, D-Cache)
  • 配備最高256KB的超大緊耦合內存(ITCM, DTCM)
  • 讀寫速度快,可顯著提升內核綜合處理性能
  • 符合車規(guī)AEC-Q100認證標準
  • 支持汽車ISO26262 ASIL B與工業(yè)IEC61508 SIL2等級的功能安全
  • 內設AES-128/256和TRNG算法

集成數(shù)學加速核,顯著提升DSP性能

除了搭載Arm Cortex-M7內核外,NS800RT系列的一大亮點是額外集成了一個支持浮點運算的硬件數(shù)學加速核(eMath),相比通用Arm Cortex-M7的數(shù)學運算能力,在三角函數(shù)、開方、指數(shù)、對數(shù)、傅里葉變換(FFT)、矩陣運算、FIR濾波等數(shù)字信號處理運算中有大幅算力提升。

豐富的外設支持,實現(xiàn)超高精度PWM控制

NS800RT系列實時控制MCU集成了豐富的外設,包括16對互補/32路獨立PWM輸出,其中高精度HRPWM有16路;3個12位ADC,采樣速率高達5MSPS,INL和DNL低至±1.5LSB,支持高達34個采樣通道;2個12位DAC,采樣速率1MSPS,INL低至±1.5LSB;7對(14個)高速模擬比較器CMPSS,帶DAC與斜波發(fā)生器;3路放大倍數(shù)可編程的差分輸入運放(PGA);8個Sigma-Delta濾波器模塊(SDFM)輸入通道;以及兩個全溫度范圍內精度可達±1%的高精度時鐘

在一系列高精度外設的加持下,NS800RT系列可實現(xiàn)100皮秒的高精度PWM控制,從而支持各種對高效率、高細分、高控制精度應用的需求,更加適配基于SiC和GaN功率器件打造的數(shù)字電源電機控制系統(tǒng)。

完善的技術資源,加速用戶上手和開發(fā)

納芯微和芯弦聯(lián)合推出了一系列技術資源和開發(fā)套件,以幫助用戶快速上手并進行系統(tǒng)開發(fā),包括全面的SDK開發(fā)套件;支持KEIL,IAR,GCC/Eclipse的IDE工具鏈;系統(tǒng)評估板等各種軟硬件支持。相關技術資料可聯(lián)系郵箱sales@novosns.com獲取。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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