那曲檬骨新材料有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

瞻芯電子 ? 來源:瞻芯電子 ? 2024-11-27 14:58 ? 次閱讀

為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,具有低損耗、散熱性強等特點,讓系統(tǒng)設計更緊湊、更高效,組裝時能自動化生產(chǎn)。

目前有2款TC3Pak封裝產(chǎn)品IV2Q12040K1Z和IV2Q12080K1Z通過了汽車級可靠性認證(AEC-Q101),采用成熟的Gen-2 SiC MOSFET技術,驅(qū)動電壓兼容15V~18V,具有高頻開關、低損耗等特點。

73de2ada-ab16-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

頂部散熱封裝TC3Pak

傳統(tǒng)的表面貼裝器件依賴PCB板散熱或?qū)幔拗屏颂蓟鐼OSFET大功率的應用優(yōu)勢。新型TC3Pak封裝頂部可緊貼外部散熱器,不依賴PCB散熱,從而顯著抑制SiC MOSFET溫度升高,幫助系統(tǒng)實現(xiàn)更高功率、更可靠地工作運行。 TC3Pak封裝具有Kelvin源極引腳,可有效抑制驅(qū)動電壓尖峰,減小開關損耗,有助于發(fā)揮SiC MOSFET高頻開關優(yōu)勢,進一步提升系統(tǒng)效率。 TC3Pak封裝外形緊湊,支持表面貼裝,安裝簡便,示意圖如下:

74128398-ab16-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

典型應用

采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET因低損耗、高頻開關、散熱性強等特點,主要適用于下列高效率、高密度應用場景:

車載充電機(OBC)

車載DC/DC

車載空壓機控制器

光伏逆變器

AC/DC電源

關于瞻芯電子

上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司,2017年成立于上海臨港。公司致力于開發(fā)碳化硅功率半導體和芯片產(chǎn)品,并圍繞碳化硅(SiC)應用,為客戶提供一站式解決方案。

瞻芯電子是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司,擁有一座車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠,標志著瞻芯電子進入中國領先的碳化硅(SiC)功率半導體IDM公司行列。 瞻芯電子將持續(xù)創(chuàng)新,放眼世界,致力于打造中國領先、國際一流的碳化硅(SiC)功率半導體和芯片解決方案提供商。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    147

    文章

    7239

    瀏覽量

    214252
  • 封裝
    +關注

    關注

    127

    文章

    7991

    瀏覽量

    143396
  • 瞻芯電子
    +關注

    關注

    0

    文章

    56

    瀏覽量

    446

原文標題:TC3Pak頂部散熱封裝SiC MOSFET,助力高效高密電源設計

文章出處:【微信號:瞻芯電子,微信公眾號:瞻芯電子】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    三菱電機1200VSiC MOSFET技術解析

    1200VSiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前,1200V
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?885次閱讀
    三菱電機<b class='flag-5'>1200V</b>級<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術解析

    電子推出車規(guī)級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應用

    為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應用需要,電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,其中TO247-2
    的頭像 發(fā)表于 12-02 09:07 ?776次閱讀
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>推出</b>車規(guī)級<b class='flag-5'>1200V</b> 60A <b class='flag-5'>SiC</b> 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應用

    微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET,為高效、可靠能源變換再添助力!

    推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面
    的頭像 發(fā)表于 10-29 13:54 ?315次閱讀
    納<b class='flag-5'>芯</b>微發(fā)布首款<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,為高效、可靠能源變換再添助力!

    電子SiC MOSFET技術新突破,車規(guī)級產(chǎn)品正式量產(chǎn)

    在半導體技術的浪潮中,上海電子科技股份有限公司(簡稱“電子”)以其卓越的研發(fā)實力和不懈的
    的頭像 發(fā)表于 06-24 10:05 ?665次閱讀

    電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性測試認證

    近日,上海電子科技股份有限公司(簡稱“電子”)基于第三代工藝平臺開發(fā)的
    的頭像 發(fā)表于 06-24 09:13 ?879次閱讀
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b>第三代<b class='flag-5'>1200V</b> 13.5mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>通過車規(guī)級可靠性測試認證

    Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領先的1200V碳化硅(SiCMOSFET,標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:34 ?996次閱讀

    安世半導體宣布推出業(yè)界領先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET

    Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:38 ?996次閱讀

    推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列

    微近期發(fā)布了其首款1200V SiC MOSFET產(chǎn)品——NPC060N120A系列,該系列產(chǎn)品的RDSon值低至60mΩ,展現(xiàn)了出色的性能。這款
    的頭像 發(fā)表于 05-13 15:27 ?985次閱讀

    微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

    微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A,其RDSon值低至60mΩ,展現(xiàn)了出色的導電性能。
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:20 ?737次閱讀

    推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

    推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面
    的頭像 發(fā)表于 04-17 14:02 ?783次閱讀
    納<b class='flag-5'>芯</b>微<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1200V</b>首款<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> NPC060N120A系列產(chǎn)品

    電子推出一款車規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

    近日,電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080T
    的頭像 發(fā)表于 04-07 11:37 ?1812次閱讀
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b><b class='flag-5'>推出</b>一款車規(guī)級<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b>三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

    安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項和使用技巧

    安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能,相比于第一代1200V碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-28 10:01 ?1472次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b> M<b class='flag-5'>3</b>S系列設計注意事項和使用技巧

    電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

    電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSF
    的頭像 發(fā)表于 03-13 09:24 ?1027次閱讀

    電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證

    3月8日,電子開發(fā)的3款第二代650V SiC
    的頭像 發(fā)表于 03-11 09:24 ?850次閱讀
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b>開發(fā)的<b class='flag-5'>3</b>款第二代650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>通過了車規(guī)級可靠性認證

    電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規(guī)認證

    在科技不斷進步和新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅速崛起的當下,高效、穩(wěn)定且符合車規(guī)標準的電子元器件成為市場的迫切需求。上海電子科技有限公司(簡稱“
    的頭像 發(fā)表于 03-07 09:37 ?1266次閱讀
    金煌棋牌官网| 百家乐官网机器二手| 百家乐官网视频桌球| 德州扑克术语| 百家乐官网视频交友| 缅甸百家乐官网的玩法技巧和规则 | 百家乐官网开户送百元| 百家乐官网游戏大| 威尼斯人娱乐城赌场| 百家乐官网合作代打| 大众百家乐官网的玩法技巧和规则 | 扑克百家乐麻将筹码防伪| 来凤县| 土豪百家乐官网的玩法技巧和规则 | 百家乐官网知敌便能制胜| 百家乐官网操作技巧| 大发888代理平台| 百家乐官网怎样投注好| 单张百家乐论坛| 大发888备用| 网上百家乐官网是假| 百家乐和抽水官网| 云顶会所| 百家乐官网b28博你发v| 最新百家乐的玩法技巧和规则| 豪门网上娱乐| 好运来百家乐官网的玩法技巧和规则| 免费百家乐缩水软件| 澳门百家乐官网鸿福厅| 澳门百家乐赢钱窍门| 立博足球投注网| 斗首24山择日天机择日| 棋牌游戏代理| 任你博百家乐官网的玩法技巧和规则| 网上百家乐群的微博| 188金宝博开户| 玩百家乐官网的好处| bet365高尔夫娱乐场| 百家乐官网园首选海立方| 娱网棋牌官方网站| 百家乐赢的秘诀|