半導體晶圓片切割刃料的制備是一個復雜而精細的過程，以下是一種典型的制備方法：

一、原料準備

首先，需要準備高純度的原料，如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料具有高硬度、高耐磨性和高化學穩定性，是制備切割刃料的理想選擇。

二、破碎與篩分

顎式破碎：將原料放入顎式破碎機中進行初步破碎，得到一定粒度的顆粒。

篩分：通過篩分設備將破碎后的顆粒進行分級，篩選出符合要求的粒度范圍。

三、濕法球磨分級

將篩分后的顆粒放入濕法球磨機中進行進一步粉碎和分級。濕法球磨機采用濕式研磨方式，通過研磨介質（如球磨珠）和研磨液的共同作用，將顆粒粉碎成更細小的粒子，并通過分級設備將粒子按照粒度大小進行分離。

四、酸洗

將分級后的粒子進行酸洗處理，以去除表面的雜質和污染物。酸洗過程中需要控制酸液的濃度、溫度和反應時間，以確保粒子的質量和穩定性。

五、溢流分級與濃縮脫水

溢流分級：通過溢流分級設備將酸洗后的粒子進行更精細的分級，得到符合切割刃料要求的粒度分布。

濃縮脫水：將分級后的粒子進行濃縮脫水處理，以去除多余的水分和研磨液，得到干燥的粒子。

高通量晶圓測厚系統，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，傳統上下雙探頭對射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測量所有平面度及厚度參數。

1,靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結 構，厚 度 可 從μm級到數百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

可調諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現在極端工作環境中抗干擾能力強，一改過去傳統晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。