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IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)說明

青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 ? 來源:青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 ? 2025-01-27 18:10 ? 次閱讀

IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)

1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

1、通過實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動板及IGBT模塊的主要動態(tài)參數(shù),如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開關(guān)損耗等;

2、通過實(shí)驗(yàn)獲得功率組件設(shè)計(jì)中濾波電容、吸收電容、復(fù)合母排等部件的特性;

3、通過實(shí)驗(yàn)取得數(shù)據(jù)確定組件的開通和關(guān)斷電阻、死區(qū)時(shí)間等參數(shù)。

1.2 實(shí)驗(yàn)原理

圖 1 為雙脈沖測試平臺的電路原理圖,上管T1 處于關(guān)斷狀態(tài),只有續(xù)流二極管工作,通過控制下管T2 的開關(guān)動作進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)平臺搭建完成之后,給T2 管門極依次打如如圖2 所示脈沖信號

圖1 雙脈沖測試平臺電路

圖2 雙脈沖實(shí)驗(yàn)基本波形

雙脈沖實(shí)驗(yàn)工作過程如下:

t0-t1 區(qū)間:T2 管導(dǎo)通,直流側(cè)電壓加在電感兩端,電感電流線性上升,直至t1 時(shí)刻T2 管關(guān)斷;

t1-t2 區(qū)間:T2 管關(guān)斷,電感通過T1 的反并聯(lián)二極管續(xù)流,電感電流緩慢衰減;

t2-t3 區(qū)間:T2 管再次導(dǎo)通,直流側(cè)電壓加在電感兩端,電感電流線性上升,直至t3 時(shí)刻T2 管再次關(guān)斷。

通過觀測T2 管在第二次開關(guān)過程中的開通和關(guān)斷波形,可以測量獲得開關(guān)管的開通和關(guān)斷損耗。

由于T2 第二次開通動作中,存在電流由T1 反并聯(lián)二極管向T1 轉(zhuǎn)移的過程,與開關(guān)管在變流器正常運(yùn)行過程工況基本相同,可以利用其獲得續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性、IGBT 的開通損耗、電壓下降/電流上升時(shí)間等信息;T2 第二次關(guān)斷過程中,通過觀測T2 上的電壓、電流波形,可以獲得IGBT 的關(guān)斷損耗、電壓上升/電流下降時(shí)間等信息,并可通過關(guān)斷過壓評估復(fù)合母排漏感及吸收電容設(shè)計(jì)的合理性。

1.3 實(shí)驗(yàn)儀器

三相調(diào)壓器、整流橋、電容組、負(fù)載電感、MPD 功率組件、示波器高壓差分電壓探頭、電流探頭、可編程信號發(fā)生器

1.4 實(shí)驗(yàn)方案

實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)參數(shù):

1、直流側(cè)電壓:1100V

2、測試電感:500uH

3、實(shí)驗(yàn)電流:300-1800A電感上電流變化率如下所示:di /dt = Udc/ L

可以計(jì)算出電流變化率為2.2A/us。實(shí)驗(yàn)過程中為了維持在第二次脈沖中,T2 的電流變化較小,采用第二個(gè)脈沖寬度固定為20us 的方式。電感電流的調(diào)節(jié)主要通過調(diào)節(jié)第一個(gè)脈沖的寬度實(shí)現(xiàn)。通過測試實(shí)驗(yàn)臺中DSP 控制板產(chǎn)生可變寬度的兩次脈沖。

通過以上的分析,雙脈沖實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)關(guān)注第二次脈沖時(shí)T2 的開通和關(guān)斷過程:

1、IGBT 開通過程重點(diǎn)關(guān)注內(nèi)容:

1)二極管的反向恢復(fù)電流的di/dt;

2)二極管的反向恢復(fù)電流的峰值;

3)反向恢復(fù)后電流是否有震蕩,拖尾多長;

4)利用電壓和電流波形計(jì)算IGBT 開通損耗及二極管的反向關(guān)斷損耗;

5)利用Us 和IGBT 開通時(shí)di/dt,計(jì)算雜散電感Ls。

6)依據(jù)驅(qū)動板延時(shí)、IGBT 開通延時(shí)等信息確定死區(qū)時(shí)間和開通電阻。

Us 與di/dt 的讀法參考下圖所示:

圖3 IGBT 開通過程的參數(shù)測量

2、IGBT 關(guān)斷過程重點(diǎn)關(guān)注內(nèi)容:

1)觀測Vce 的電壓尖峰,評估IGBT 在關(guān)斷時(shí)的安全程度及吸收電容的合理選擇;

2)IGBT 的關(guān)斷損耗;

3)依據(jù)驅(qū)動板延時(shí)、IGBT 關(guān)斷延時(shí)等信息確定死區(qū)時(shí)間和關(guān)斷電阻。

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原文標(biāo)題:IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)詳解

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