羅姆于2012年3月份于全球首家開始量產內置功率半導體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產品陣容不斷擴大，并擁有達1200V、300A的產品，各產品在眾多領域中被廣為采用。隨著新封裝的開發， 羅姆繼續擴充產品陣容，如今已經擁有覆蓋IGBT模塊市場主要額定電流范圍100A～600A的全SiC模塊產品。利用這些模塊，可大幅提升普通同等額定電流IGBT模塊應用的效率，并可進一步實現小型化。

開關損耗大幅降低，可進一步提升大功率應用的效率

羅姆利用獨有的內部結構并優化散熱設計開發出新型封裝，從而開發并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產品。由此，全SiC功率模塊在工業設備用大容量電源等更大功率產品中的應用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，Tj＝150℃時的開關損耗降低了64%（與市面上銷售的IGBT模塊產品技術規格書中的數據比較）。

高頻驅動，有利于外圍元器件的小型化

在PWM逆變器驅動時的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開關頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%，總體損耗顯著降低。在20kHz時，散熱器所需尺寸可比預期小88%。另外，通過高頻驅動，可使用更小體積的外圍無源器件，可進步一實現設備的小型化。

全SiC功率模塊的產品陣容

※產品陣容中還包括斬波型產品。

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ROHM還提供可輕松評估全SiC功率模塊柵極驅動器評估板。