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英特爾96層3D NAND二期項目投產啟動儀式在大連舉行

集成電路園地 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-09-30 14:17 ? 次閱讀

9月21日,英特爾大連非易失性存儲二期項目投產啟動儀式在大連舉行。省委副書記、省長唐一軍出席啟動儀式。

活動期間,唐一軍饒有興致地參觀了二期項目辦公樓和生產車間,了解項目投產運行情況。他指出,英特爾大連非易失性存儲二期項目的合作建設過程,是遼寧擴大對外開放的寫照和縮影,新項目優質高效建成投產,讓我們看到了“大連效率”,創造了“大連速度”,是英特爾公司建設發展的奇跡,也是遼寧對外經貿合作的典范。今年是中國改革開放40周年,遼寧將以更寬廣的胸襟、更寬闊的視野,在更寬的領域、更高的層次,深化改革、擴大開放、推動創新。希望以此次英特爾二期項目投產為新起點,進一步深化拓展雙方合作,繼續擴大在遼投資規模,實現互利共贏發展。

英特爾公司是全球知名集成電路領軍企業。2006年7月,英特爾亞洲控股有限公司與大連市政府簽署了總發展協議,在大連出口加工區B區建設了占地面積60公頃的英特爾半導體(大連)有限公司,用于邏輯芯片的研發生產。2015年10月,英特爾二期項目落戶大連,生產非易失性存儲器芯片。經過不到三年時間,二期項目順利實現了建成投產,創造了英特爾工廠建設歷史的新紀錄。啟動儀式上,英特爾宣布新投產的非易失性存儲二期項目將采用世界最先進的96層3D NAND存儲芯片制造技術實現量產。

省及大連市領導譚作鈞、崔楓林、譚成旭、肖盛峰,英特爾全球副總裁、全球非易失性存儲事業部總經理凱文·埃斯法亞尼,英特爾全球副總裁、英特爾半導體(大連)有限公司總經理梁志權出席啟動儀式。

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原文標題:96層3D NAND英特爾大連工廠二期項目正式投產

文章出處:【微信號:cjssia,微信公眾號:集成電路園地】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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