據(jù)Digitimes報(bào)道，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士本周透露，NAND Flash閃存的價(jià)格在2019年將繼續(xù)下滑，雖然今年已經(jīng)累計(jì)榨干50%水分。

此前的一份報(bào)道稱，2019年，SSD每GB的單價(jià)會(huì)跌至0.08美元（約合0.56元）。

報(bào)道稱，價(jià)格下滑的主要推手是產(chǎn)能“剎不住車”，包括96層堆疊的3D閃存方案將新鮮登場(chǎng)。文章援引威剛科技董事長(zhǎng)陳立白（Simon Chen）的話，廠家會(huì)繼續(xù)增加存儲(chǔ)設(shè)施的生產(chǎn)能力，只不過，閃存類產(chǎn)品的價(jià)格會(huì)比今年有更大的降幅。

值得一提的是，明年，我國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)也將量產(chǎn)NAND存儲(chǔ)芯片，入局SSD上游供應(yīng)鏈。

另外，DRAM芯片的產(chǎn)能由于被三星、SK海力士和美光三巨頭死死卡住，2019又無增產(chǎn)計(jì)劃，看起來難有大的價(jià)格波動(dòng)。

從上游供應(yīng)解讀閃存價(jià)格未來走勢(shì)

NAND Flash價(jià)格在經(jīng)歷2年漲價(jià)的時(shí)期后，2018年回歸理性，截至到10月初，2018年NAND Flash價(jià)格指數(shù)已累積下滑高達(dá)57%，NAND Flash每GB價(jià)格下探至0.1美金，基本已回到了2016年漲價(jià)前的價(jià)格水平。

近期，即使在傳統(tǒng)的Q3旺季，也依然未能扭轉(zhuǎn)NAND Flash價(jià)格下滑的頹勢(shì)，中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket預(yù)計(jì)，受傳統(tǒng)淡季需求減弱的影響，Q4 NAND Flash價(jià)格可能依然持續(xù)下滑的趨勢(shì)。

2018年以來，由于NAND Flash價(jià)格持續(xù)下滑且跌幅超乎預(yù)期，相較于2016年和2017年NAND Flash漲價(jià)時(shí)期，部分存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)營(yíng)收和獲利均受到一定的影響，再加上國(guó)際原廠三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾、SK海力士等不僅3D技術(shù)快速迭代，而且加碼投資新建工廠，同時(shí)中國(guó)三大存儲(chǔ)基地之一的武漢存儲(chǔ)基地已進(jìn)入投產(chǎn)初期階段。在多方因素影響下，部分市場(chǎng)業(yè)內(nèi)人士紛紛看衰NAND Flash產(chǎn)業(yè)。中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket認(rèn)為，NAND跌價(jià)是價(jià)格沖高回落的自然現(xiàn)象，不必過于擔(dān)憂。

近5年NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)走勢(shì)

數(shù)據(jù)來源：中國(guó)閃存市場(chǎng)www.chinaflashmarket.com，數(shù)據(jù)截止至2018年10月15日

2018年NAND價(jià)格“折腰”， 2019年跌勢(shì)難改，都是3D技術(shù)推進(jìn)的必然走向

NAND Flash價(jià)格走勢(shì)是由市場(chǎng)供需決定的，2016年和2017年由于處于原廠2D NAND向3D NAND切換的空窗期，使得NAND Flash供應(yīng)減少，而需求端智能型手機(jī)和SSD容量需求依然在增長(zhǎng)，導(dǎo)致市場(chǎng)供不應(yīng)求，同時(shí)NAND Flash價(jià)漲一倍多。2018年原廠不斷擴(kuò)大64層/72層3D NAND產(chǎn)出量，目前三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾等3D NAND占比已達(dá)到80%，美光甚至可以達(dá)到90%，3D NAND產(chǎn)能增加，導(dǎo)致市場(chǎng)供過于求。

中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket進(jìn)一步分析，以目前主流的64層3D NAND技術(shù)為例，一片Wafer晶圓（12英寸）大約可以切割出1000顆256Gbit的Die。相較于1znm工藝2D技術(shù)所切割出的600多顆128Gbit的Die，不僅容量翻倍，單顆Die的總數(shù)更是增加了60%，這是導(dǎo)致NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格下滑的主要因素。

展望2019年，在2018下半年三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾、SK海力士等均已發(fā)布了其新一代96層3D NAND技術(shù)，且三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光等已開始量產(chǎn)。根據(jù)各原廠技術(shù)規(guī)劃，預(yù)計(jì)96層3D NAND將在2019上半年規(guī)模化量產(chǎn)。據(jù)了解，96層3D NAND由于初期良率較低，相較于64層3D NAND沒有成本優(yōu)勢(shì)，但隨著良率的不斷提高，成本優(yōu)勢(shì)將逐漸顯現(xiàn)，中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket預(yù)計(jì)2019年NAND Flash價(jià)格將會(huì)進(jìn)一步下滑。

Wafer晶圓產(chǎn)能分析

數(shù)據(jù)來源：中國(guó)閃存市場(chǎng)www.chinaflashmarket.com

國(guó)際原廠NAND拼擴(kuò)產(chǎn)，DRAM保守以待，如何解讀存儲(chǔ)市場(chǎng)行情？

2018年新一輪NAND擴(kuò)產(chǎn)開始，三星除了FAB18這個(gè)大型工廠外，還開始新建西安工廠二期工程，東芝除了新工廠Fab6開始投產(chǎn)96層3D NAND，又新建Fab 7，SK海力士M15和英特爾大連二期工廠都開始投產(chǎn)96層3D NAND，還有美光新建的Fab10三期工廠。另外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢基地也開始逐步生產(chǎn)，滿載產(chǎn)能可達(dá)到15萬片/月。

根據(jù)規(guī)劃，各家原廠新工廠都將在2019年陸續(xù)提高生產(chǎn)量。NAND Flash產(chǎn)能大幅度增加，一是填補(bǔ)2016年和2017年市場(chǎng)供應(yīng)的缺口，二是為了新一代96層3D技術(shù)投產(chǎn)，滿足智能型手機(jī)和SSD對(duì)大容量不斷增長(zhǎng)的需求。

國(guó)際原廠新工廠投產(chǎn)情況

數(shù)據(jù)來源：中國(guó)閃存市場(chǎng)www.chinaflashmarket.com

反觀DRAM市場(chǎng)，相較于NAND Flash產(chǎn)業(yè)不斷增加的產(chǎn)能，三星、美光、SK海力士三大原廠對(duì)DRAM增產(chǎn)持保守態(tài)度，三星、美光、SK海力士受惠于兩年持續(xù)走高的DRAM價(jià)格，營(yíng)收和獲利持續(xù)走高，所以各家都不急于擴(kuò)建DRAM工廠，以免產(chǎn)能過剩導(dǎo)致價(jià)格慘跌，影響獲利。市場(chǎng)數(shù)據(jù)反饋DRAM在服務(wù)器、PC和智能手機(jī)的應(yīng)用沒有太大的增幅，而DRAM工藝從2017年2xnm提升到2018年1xnm，增加40%的產(chǎn)能。三星原定每月增產(chǎn)DRAM計(jì)劃已延期，同時(shí)為避免DRAM價(jià)格下滑，計(jì)劃下修2019年2成的DRAM投資額，SK海力士也推遲了DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。但是DRAM的壓力還是與日俱增，形成DRAM堰塞湖。

NAND和DRAM兩行情與市場(chǎng)需求有關(guān)，首先DRAM在智能型手機(jī)上的平均LPDDR容量3.2GB，而NAND Flash平均需求則超過80GB；其次PC出貨持續(xù)萎縮，又遇英特爾處理器缺貨，DRAM標(biāo)配4GB，高配也僅16GB，而PC搭載的SSD容量則在240GB以上，第三：在服務(wù)器市場(chǎng)，IBM、百度、阿里、華為等正在部署英特爾傲騰技術(shù)和三星Z-NAND來滿足大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，取代部分DRAM的應(yīng)用。Optane內(nèi)存雖然有“內(nèi)存”之名，但它并非是我們通常理解的DRAM內(nèi)存。它主要作用是作為緩存設(shè)備對(duì)硬盤（包括HDD和SSD）進(jìn)行加速。

3D XPoint的優(yōu)勢(shì)。按官方數(shù)據(jù)，3D XPoint的讀寫速度和壽命均為NAND Flash的1000倍，延遲是NAND Flash的千分之一，DRAM的10倍；存儲(chǔ)密度則是內(nèi)存的10倍。

智能手機(jī)和SSD主力市場(chǎng)合計(jì)消耗85%以上的產(chǎn)能，未來NAND產(chǎn)業(yè)依然好光景

在國(guó)際原廠3D技術(shù)和產(chǎn)能增加的推動(dòng)下，2018年NAND Flash存儲(chǔ)密度預(yù)計(jì)將較2017年增長(zhǎng)42%，達(dá)到2300億GB當(dāng)量。需求端，2018年全球智能型手機(jī)出貨將達(dá)14.6億臺(tái)，高端手機(jī)蘋果、三星等旗艦機(jī)搭載Flash容量由256GB向512GB提升，華為、OPPO、VIVO、小米等從64GB/128GB向128GB/256GB，甚至512GB容量轉(zhuǎn)移，以手機(jī)為主的嵌入式產(chǎn)品消耗了43%的NAND產(chǎn)能。

2018年高端旗艦機(jī)容量成倍增加

SSD在消費(fèi)類、數(shù)據(jù)中心以及行業(yè)應(yīng)用需求強(qiáng)勁，2018年全球SSD的出貨量將達(dá)1.92億臺(tái)，相較于2017年增長(zhǎng)22%。全球SSD市場(chǎng)所消耗的產(chǎn)能已從2016年的38%上升到43%，尤其是企業(yè)級(jí)SSD，2018年平均容量已經(jīng)達(dá)到2TB/臺(tái)，僅企業(yè)級(jí)市場(chǎng)就消耗了25%的NAND Flash產(chǎn)能。2018年SSD與嵌入式產(chǎn)品合計(jì)消耗85%以上的NAND Flash產(chǎn)能，2019年仍然是主力需求市場(chǎng)。

全球SSD出貨量增長(zhǎng)走勢(shì)（百萬/臺(tái)）

全球企業(yè)級(jí)SSD出貨量增長(zhǎng)走勢(shì)（百萬/臺(tái)）

數(shù)據(jù)來源：中國(guó)閃存市場(chǎng)www.chinaflashmarket.com

SSD搶占的是HDD市場(chǎng)，SSD價(jià)格下滑是其成長(zhǎng)的最大動(dòng)力，尤其是在消費(fèi)類市場(chǎng)，2016年和2017年因?yàn)镹AND Flash缺貨，SSD價(jià)格大幅上漲，同時(shí)也抑制了市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)。2018年以來SSD價(jià)格持續(xù)下滑，目前價(jià)格已跌破2016年所創(chuàng)下的歷史低點(diǎn)，其中240GB和480GB價(jià)格在2018年累積跌幅分別達(dá)45%、52%，部分240GB價(jià)格已跌破30美金，也正因?yàn)閮r(jià)格的下滑大大的刺激了市場(chǎng)需求向更大容量的240GB、480GB、960GB普及。

2018年1-10月240GB TLC SSD價(jià)格走勢(shì)

2018年1-10月480GB TLC SSD價(jià)格走勢(shì)

數(shù)據(jù)來源：中國(guó)閃存市場(chǎng)www.chinaflashmarket.com，數(shù)據(jù)截止至10月9日

在智能型手機(jī)和SSD需求帶動(dòng)下，NAND Flash產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)健康的發(fā)展趨勢(shì)，而且隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、汽車電子等領(lǐng)域的崛起，將會(huì)產(chǎn)生更多的數(shù)據(jù)量，且要求高速、復(fù)雜的處理數(shù)據(jù)，對(duì)NAND Flash的需求不斷增加。

當(dāng)下NAND Flash價(jià)格下滑，更多的是對(duì)企業(yè)綜合實(shí)力的考驗(yàn)，也會(huì)加速淘汰沒有競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)，資源會(huì)向有競(jìng)爭(zhēng)力的公司匯聚，2008年市場(chǎng)惡劣的時(shí)候，市場(chǎng)存儲(chǔ)企業(yè)從幾百家淘汰到幾十家，現(xiàn)在的情況也是類似。

“最重要的還是技術(shù)創(chuàng)新”這是企業(yè)必須一直具備的精神。中國(guó)作為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)重要的應(yīng)用市場(chǎng)，需求多樣而多變，通過提高企業(yè)自身自主創(chuàng)新技術(shù)，充分理解本土客戶需求，厚積薄發(fā)，實(shí)現(xiàn)企業(yè)的成長(zhǎng)。