近日，國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收。該***由中國科學院光電技術研究所研制，光刻分辨力達到22納米，結合雙重曝光技術后，未來還可用于制造10納米級別的芯片。

中科院理化技術研究所許祖彥院士等驗收組專家一致表示，該***在365納米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線，繞過國外相關知識產權壁壘。

***是制造芯片的核心裝備，我國在這一領域長期落后。它采用類似照片沖印的技術，把母版上的精細圖形通過曝光轉移至硅片上，一般來說，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。但傳統光刻技術由于受到光學衍射效應的影響，分辨力進一步提高受到很大限制。

為獲得更高分辨力，傳統上采用縮短光波、增加成像系統數值孔徑等技術路徑來改進***，但技術難度極高，裝備成本也極高。

項目副總設計師胡松介紹，中科院光電所此次通過驗收的表面等離子體超分辨光刻裝備，打破了傳統路線格局，形成一條全新的納米光學光刻技術路線，具有完全自主知識產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義芯片等變革性領域的跨越式發展提供了制造工具。

據了解，這種超分辨光刻裝備制造的相關器件已在中國航天科技集團公司第八研究院、電子科技大學、四川大學華西醫院、中科院微系統所等多家科研院所和高校的重大研究任務中得到應用。