國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)12月18日指出，2018年全球晶圓廠設(shè)備投資金額將由8月時預測的成長14%、下修至成長10%，明(2019)年投資金額將從原先預測的成長7%、下修至衰退8%；記憶體價格下跌和美中貿(mào)易戰(zhàn)的影響使公司改變投資計劃，為晶圓廠資本投資快速下滑的兩大主因。

SEMI 公布“全球晶圓廠預測報告”指出，甫進入2018 年時，原預估全球半導體晶圓廠設(shè)備市場將延續(xù)罕見的4 年連續(xù)成長、直至明年，但今年8 月時SEMI 綜合收集分析全球超過 400 間晶圓廠主要投資計劃后，預估今年下半年到明年上半年，晶圓廠投資金額將呈下滑態(tài)勢；然而，有鑒于近期的市場情勢，下滑幅度恐將較原先的預期更劇烈；預估今年下半年及明年上半年晶圓設(shè)備銷售金額將分別下滑13 和16 個百分點，直到明年下半年才可望出現(xiàn)轉(zhuǎn)圜。

SEMI***區(qū)總裁曹世綸分析，記憶體價格下跌和美中貿(mào)易戰(zhàn)導致公司投資計劃改變，是晶圓廠資本投資快速下滑的兩大主因，其中，以先進記憶體制造商、中國晶圓廠、28 納米或以上成熟制程業(yè)者的資本支出縮減，對全球半導體設(shè)備市場的影響最大。

在記憶體部分，SEMI進一步指出，繼今年年初NAND型快閃記憶體價格急速下滑后，動態(tài)隨機存取記憶體( DRAM )價格也在第四季出現(xiàn)松動，連續(xù)兩年的DRAM盛世恐將結(jié)束，而存貨調(diào)整和中央處理器 ( CPU )的產(chǎn)量不足，將導致更劇烈的價格下滑。記憶體業(yè)者為快速反應市場情況而減少資本支出，暫緩已經(jīng)訂購的設(shè)備出貨，預期NAND快閃記憶體相關(guān)投資甚至將出現(xiàn)兩位數(shù)的衰退。

SEMI也修正了先前對記憶體資本支出成長3%的預測，預估明年整體記憶體資本支出將下滑19%，其中以DRAM下滑最劇烈，下滑幅度達23%，至于在3D NAND部分則將下滑13%。SEMI并指出，以地區(qū)來看，中國大陸和韓國是晶圓廠設(shè)備投資金額下滑幅度最大的兩個地區(qū)。

不過，SEMI也表示，雖然大部分的記憶體廠皆計劃減少資本投資，但美光為例外。明年美光預估將投資約105億美元，較今年的82億美元投資金額提高約28%，這筆投資主要用于擴張和升級既有廠房設(shè)施。

業(yè)界人士分析，整體全球半導體景氣已自今年第3季高峰急轉(zhuǎn)直下，三星最賺錢的記憶體需求也受到影響，并從第3季起緊急削減資本支出，其中記憶體減幅高達27％，且明年也可能延續(xù)保守的資本支出心態(tài)。臺系DRAM大廠南亞科也宣布今年資本支出由原訂240億元，降至210億元，降幅超過一成。

半導體設(shè)備廠強調(diào)，除了三星、南亞科外，SK海力士與美光的DRAM增產(chǎn)腳步也趨緩，這些廠商都是這兩年半導體設(shè)備主要買家。從削減資本支出的動作來看，各廠似乎都擔心美中貿(mào)易戰(zhàn)干擾市場買氣，藉由縮減資本支出，減緩DRAM與NAND Flash的跌勢。

臺積也下修今年資本支出為100億到105億美元，比原訂的115億至120億美元，減少約一成；但臺積電之前也在供應鏈管理論壇表示，未來幾年的資本支出，仍會落在100億至120億美元。