存儲級存儲器（SCM）克服了NAND閃存的局限性，這使得接管成為必然。

存儲級存儲器（SCM），能夠如同NAND閃存一樣保留其內容的能力，也能有像DRAM一樣的的速度，這使得它最終將取代閃存作為首選的高速存儲介質。

這就是HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經理Ivan Iannaccone的預測。但他補充說，這需要一些時間。

“這不會在一夜之間發生; 它變得經濟可行只是時間問題，但它最終會接管。也許10年后。“，他告訴我。

在每個字節的基礎上，SCM的成本比閃存高出四倍。目前只有兩家供應商：英特爾和三星。英特爾以Optane品牌銷售它并以企業為目標，英特爾的Optane HPE將其用于其存儲陣列。

三星的產品名為Z-SSD，現在專注于消費者，并計劃在今年晚些時候向OEM提供樣品。據說東芝和Western Digital也在開發自己的SCM產品。

除了更換NAND閃存外，Iannaccone還認為SCM使用的NVMe協議將取代目前存儲陣列中使用的SCSI / SAS接口。“，現實是NVMe是一種更加精簡的記憶方式。存儲級內存SCM的行為更像內存，延遲更低。“，他說。

由于閃存的固有設計，SCM在這塊要好很多。性能問題和閃存延遲的最大原因之一是使用垃圾收集以滿足新寫入。將數據寫入閃存驅動器時，無法覆蓋舊信息。它必須在其他地方寫入一個新數據塊，并在磁盤I / O暫停時刪除舊文件。

因為你在以前的寫入之后總是在清理，它會導致一些不穩定，這就是媒體行為的方式。

SCM比NAND閃存更快，但仍然很昂貴

憑借其覆蓋文件的能力，寫入數據所需的時間要短得多，SCM為9ms，NAND為90ms至100ms。此外，您沒有媒體的不可預測性，因為您沒有運行后臺進程來優化媒體。

英特爾以多種外形銷售Optane。3PAR為其存儲陣列而非服務器提供PCI Express附加卡。它們充當存儲陣列SSD和服務器內存之間的緩存。通過增加大約3TB的SCM，3PAR在Oracle基準測試中實現了30％的性能提升，同時價格提升了5％。

最終，Iannaccone認為SCM能夠從其物理位置分解并充當多個存儲陣列的緩存，并且所有其他陣列都與具有SCM內存的陣列通信。

“SCM仍然相當昂貴，因此我們將其用作緩存和智能算法層來制作緩存，”他說。

隨著SCM的成本下降并且作為閃存的替代品變得更加可行，用例將分裂。對于大容量存儲，每千兆字節將有一個更合適的價值，并且將有一個性能層來優化I / O。