課程介紹

接下來我們講的內(nèi)容為MOSFET。我們之前說到MOSFET前級電路是一個高壓電路，220V整流之后變成的一個310V的電壓。對于這樣的電來說，原本OFF的狀態(tài)下，電壓應(yīng)該是310V，MOS管導(dǎo)通的那一下，那么MOSFET上面的電壓就接近一個0V，而且這個跳變的時間非常快。如果開關(guān)管開得越快，它從310V降到0V的時間就越短。

我們可以將這樣的時間稱之為壓擺率，也可以說是dv/dT，這就代表了它的斜率。當斜率越陡即dv/dT越大的時候，對于這個系統(tǒng)來說就有可能發(fā)生一定的震蕩。因為當電壓發(fā)生急劇變化的時候，MOSFET的漏極和柵極也是有電容的，這種現(xiàn)象我們稱之為米勒現(xiàn)象。米勒現(xiàn)象會在MOSFET的GS和DS上產(chǎn)生一個振蕩，這樣的振蕩可能就會損壞該管。

學(xué)習(xí)獲得：

學(xué)習(xí)隔離式反激開關(guān)電源設(shè)計

1、反激開關(guān)電源的設(shè)計思路，拓撲結(jié)構(gòu)及原理框圖講解

2、驅(qū)動電路設(shè)計

3、經(jīng)典驅(qū)動芯片UC3842 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解

4、頻率設(shè)計講解

5、吸收電路設(shè)計及作用講解

6、功率開關(guān)管MOSFET的開關(guān)速度，發(fā)熱因素及選型講解

7、輸出電路設(shè)計

8、MOSFET選型，吸收電路器件選型，輸出二極管選型，輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計算。

9、電流環(huán)設(shè)計

10、電壓環(huán)設(shè)計

11、經(jīng)典基準電壓源TL431 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解

12、光耦的應(yīng)用講解

13、TL431、光耦組合電路參數(shù)計算。

14、EMI設(shè)計簡單介紹

適宜學(xué)習(xí)人群：

1、如果你還是學(xué)生，正厭倦于枯燥的課堂理論課程，想得到電子技術(shù)研發(fā)的實戰(zhàn)經(jīng)驗；

2、如果你即將畢業(yè)或已經(jīng)畢業(yè)，想積累一些設(shè)計研發(fā)經(jīng)驗憑此在激烈競爭的就業(yè)大軍中脫穎而出，找到一份屬于自己理想的高薪工作；

3、如果你已經(jīng)工作，卻苦惱于技能提升緩慢，在公司得不到加薪和快速升遷；

4、如果你厭倦于當前所從事的工作，想快速成為一名電子研發(fā)工程師從事令人羨慕的研發(fā)類工作。