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三星電子計劃到2030年在IC芯片領域投資133萬億韓幣

XcgB_CINNO_Crea ? 來源:ZF ? 2019-04-29 15:20 ? 次閱讀

CINNO Research 產業資訊,三星電子計劃到2030年在IC芯片領域投資133萬億韓幣(約合7758億人民幣),擴展研發和設備投入。目標將IC芯片也培育成世界第一。

IC芯片與存儲半導體不同,是數據演算和處理半導體,被稱之為第四次產業革命時代和核心部品。三星電子的存儲半導體雖是世界第一,但包含IC芯片在內的非存儲半導體與全球領先企業依然有所差距。

三星電子4月24日對外宣布了劍指全球第一的“半導體愿景2030”。核心內容為截止到2030年前,在國內研發領域投資73萬億韓幣(約合4258億人民幣)、制造產業鏈投資60萬億韓幣(約合3500億人民幣)。而產業鏈投資主要集中在京畿道華城產業園新EUV設備等Foundry構建。研發投資主要使用于人力資源和半導體技術提升。三星電子當天還表示將雇傭1萬5千名IC芯片研發和制造人才。三星電子的計劃實施后可發揮42萬名的間接雇傭效應。這是根據年平均11萬億韓幣(約合642億人民幣)的研發設施投資和產量提升而得出。

三星電子還強調了要與韓國半導體設計廠商Fabless謀求共贏,加強韓國IC芯片生態。為加強韓國Fabless中小企業的產品競爭力,縮短產品開發和設計時間,將支援Interface IP、Analog IP、Security IP等設計相關IP。

并放低半導體代工起步數量,支持中小Fabless企業的少量產品訂單,同時還將以每年2~3次的頻度進行開發必備的“Multi project wafer”。

三星電子本次的計劃除了自身半導體事業的拓展以外,也包含了韓國政府從今年開始一直強調的非存儲半導體事業的培育方針。

在年初的2019企業人溝通會時韓國文在寅總統對三星李在镕曾問詢過非存儲半導體的事業擴展計劃,并表示企業的成長需要新的嘗試,流露出對于非存儲半導體的培育計劃。

而在之后的3月份國務會議時還強調:韓國非存儲半導體競爭力落后于存儲半導體,希望企業盡快謀求非存儲與存儲半導體并駕齊驅的方案。

三星此次的“半導體愿景2030”是在此背景下,而韓國政府也將在短時間內會推出非存儲半導體培育方案。

三星電子計劃到2030年在IC芯片領域投資133萬億韓幣

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原文標題:三星電子 | 2030年之前投資133萬億韓幣,劍指非存儲半導體世界第一

文章出處:【微信號:CINNO_CreateMore,微信公眾號:CINNO】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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