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連續(xù)理財(cái)產(chǎn)品“爆雷”的揚(yáng)杰科技發(fā)布2018年年度報(bào)告,凈利潤(rùn)同比下降30%

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來(lái)源:YXQ ? 2019-04-29 17:13 ? 次閱讀

4月25日,在延期一日后,連續(xù)理財(cái)產(chǎn)品“爆雷”的揚(yáng)杰科技發(fā)布2018年年度報(bào)告,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入18.52億元,同比增長(zhǎng)26.01%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.87億元,同比下降29.70%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)1.98億元,同比下降8.23%;經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金凈流入2.12億元,同比下降19.01%。

值得注意的是,揚(yáng)杰科技2018年內(nèi)獲得的政府補(bǔ)貼為1024.8萬(wàn)元,委托他人投資或管理資產(chǎn)的損益為-3309.97萬(wàn)元。

揚(yáng)杰科技表示,報(bào)告期內(nèi),公司以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向,重點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)小信號(hào)產(chǎn)品自動(dòng)生產(chǎn)線,完成18類性能卓越的新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),持續(xù)擴(kuò)張公司主營(yíng)產(chǎn)品版圖,滿足客戶多元化需求;積極推進(jìn)降本增效工作,成功研制出高密度框架,提高框架有效使用面積近50%,顯著降低框架成本,資源利用率與生產(chǎn)效率得到雙提高。微型小信號(hào)功率器件上取得的技術(shù)突破,進(jìn)一步提高了公司在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)份額。

肖特基芯片方面,6寸肖特基芯片實(shí)現(xiàn)全系列量產(chǎn),可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、家用電器等領(lǐng)域;高可靠性平面肖特基芯片實(shí)現(xiàn)研發(fā)量產(chǎn),可滿足汽車電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),為公司拓展汽車電子領(lǐng)域提供有力保障;高能效低正向壓降肖特基芯片實(shí)現(xiàn)全系列開(kāi)發(fā),100V及以下芯片實(shí)現(xiàn)系列化量產(chǎn),積極響應(yīng)國(guó)家節(jié)能減排的號(hào)召,提升了公司在消費(fèi)類電子、安防、新能源等下游應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

TVS產(chǎn)品方面,公司整合4寸晶圓研發(fā)力量,持續(xù)優(yōu)化防護(hù)類器件產(chǎn)品組合,全面提升低壓平面TVS產(chǎn)品的VC性能,使其達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平,進(jìn)一步增強(qiáng)公司在安防、通信等領(lǐng)域的推廣實(shí)力。

MOSFET產(chǎn)品方面,公司自主設(shè)計(jì)研發(fā)的8英寸超高密度溝槽功率MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并形成大批量銷售,其中主打N/P 20V~100V系列產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻達(dá)到國(guó)內(nèi)同行先進(jìn)水平,部分產(chǎn)品已批量進(jìn)入國(guó)內(nèi)中高端客戶群;40V~100V SGT MOS產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻和電容特性參數(shù)均達(dá)國(guó)內(nèi)同行先進(jìn)水平,其中60V SGT MOS已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨,同時(shí)對(duì)標(biāo)國(guó)外同行最新一代技術(shù),持續(xù)研發(fā)跟進(jìn),為公司未來(lái)拓展高端功率半導(dǎo)體市場(chǎng)積蓄力量。

揚(yáng)杰科技新增6寸高壓MOSFET產(chǎn)品線,成功研制IGBT芯片并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),多款8寸中低壓MOSFET產(chǎn)品成功開(kāi)發(fā),與現(xiàn)有客戶產(chǎn)品形成配套,有利于增強(qiáng)公司與客戶合作的深度與廣度,預(yù)計(jì)未來(lái)將為公司貢獻(xiàn)持續(xù)穩(wěn)定的銷售收入;公司新建汽車電子產(chǎn)品線,部分產(chǎn)品已取得國(guó)內(nèi)外重點(diǎn)客戶認(rèn)證,為未來(lái)拓展汽車電子行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

報(bào)告期內(nèi),揚(yáng)杰科技產(chǎn)量穩(wěn)步增長(zhǎng),其中晶圓產(chǎn)出同比增長(zhǎng)59%,封裝成品產(chǎn)出同比增長(zhǎng)36%;同時(shí),穩(wěn)步推進(jìn)產(chǎn)能拓展工作,在晶圓、小信號(hào)系列封裝和貼片二極管系列封裝繼續(xù)加大投入。

同時(shí),揚(yáng)杰科技披露了2019年第一季度報(bào)告,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.07億元,同比增長(zhǎng)2.83%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)3506.11萬(wàn)元,同比下降45.00%。

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原文標(biāo)題:IGBT芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),揚(yáng)杰科技2018凈利潤(rùn)同比下降30%

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