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TDK-Micronas推出了具有雜散磁場補償?shù)?D霍爾效應(yīng)位置傳感器

MEMS ? 來源:lq ? 2019-05-05 15:52 ? 次閱讀

不久前,TDK-Micronas推出了具有雜散磁場補償?shù)?D霍爾效應(yīng)位置傳感器,為此,電子產(chǎn)品世界等媒體采訪了應(yīng)用部經(jīng)理陳興鵬先生。

圖1:新型Micronas HAL? 39xy霍爾效應(yīng)位置傳感器系列,具有多種帶主動雜散磁場補償?shù)臏y量模式

1. 應(yīng)用領(lǐng)域

問:這款新產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域是什么?

答:主要驅(qū)動因素就是汽車的電動化趨勢。汽車里有越來越多的電機和大電流電纜,它們都會產(chǎn)生雜散磁場。

因此,可以說所有應(yīng)用都需要或多或少的雜散場抗擾度,具體需求則要視精度要求、在車輛中的位置以及自然屏蔽效果等因素而定。

問:在中國的目標(biāo)客戶主要集中在哪些行業(yè)?

答:TDK的線性霍爾效應(yīng)產(chǎn)品線已在中國具備強大的市場地位。我們的目標(biāo)就是將3D霍爾效應(yīng)設(shè)備領(lǐng)域的成功復(fù)制到中國的所有市場領(lǐng)域。

TDK-Micronas推出了具有雜散磁場補償?shù)?D霍爾效應(yīng)位置傳感器

2. 如何實現(xiàn)雜散磁場補償?

問:霍爾傳感器的歷史很長,我們還能有哪些創(chuàng)新?

答:我們?nèi)栽诓粩喔倪M霍爾元件的性能(靈敏度、噪聲、功耗)和功能(三維采集、應(yīng)力抗擾度),此次展示的HAL? 39xy 系列產(chǎn)品的主要創(chuàng)新在于雜散場抗擾度(降低外部干擾磁場對被測位置/角度相關(guān)磁場的影響)。

其原理就是使用多個霍爾元件,通過智能算法進行信息融合并檢測出干擾源,從而輸出不受外部磁場干擾的數(shù)據(jù)。

這一切都有賴于直接將霍爾元件集成到CMOS技術(shù)中,即能夠輕松地將多個霍爾元件集成到一個硅片上。這是該技術(shù)的獨特優(yōu)勢。

問:這款新產(chǎn)品的獨特優(yōu)勢是什么?

答:非常靈活,能夠處理許多不同的應(yīng)用場景和配置。

我們目前在一個硅片上共集成了10個霍爾元件。根據(jù)所用磁體以及被測運動(線性行程、角度、軸上、偏軸)的不同,DSP會采用不同的霍爾元件組合,通過智能算法進行信息融合并檢測出干擾源,從而輸出不受外部磁場干擾的數(shù)據(jù)。

TDK-Micronas推出了具有雜散磁場補償?shù)?D霍爾效應(yīng)位置傳感器

問:新品采用了哪些特有的技術(shù)?另外,雜散磁場會對大多數(shù)基于霍爾效應(yīng)技術(shù)的位置傳感器產(chǎn)生影響,所以是否會考慮其他技術(shù)(諸如TMR)?

答:此次展示的HAL39系列產(chǎn)品其主要創(chuàng)新在于雜散場抗擾度(降低外部干擾磁場對被測位置/角度相關(guān)磁場的影響)。

其原理就是使用多個霍爾元件,通過智能算法進行信息融合并檢測出干擾源,從而輸出不受外部磁場干擾的數(shù)據(jù)。我們采用了獲得專利的IP。產(chǎn)品規(guī)格顯示雜散場剩余干擾只有< 0.1°。

這一切都有賴于直接將霍爾元件集成到CMOS技術(shù)中,即能夠輕松地將多個霍爾元件集成到一個硅片上。這是該技術(shù)的獨特優(yōu)勢。

目前TDK也正在努力實現(xiàn)不受雜散場干擾的TMR(隧道磁阻)解決方案。

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原文標(biāo)題:3D霍爾效應(yīng)位置傳感器又出新品,可實現(xiàn)雜散磁場補償

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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