1、薄膜電路工藝

形成超細(xì)線(xiàn)電路圖案通過(guò)磁控濺射，圖案光刻，干濕蝕刻和電鍍?cè)龊裨谔沾苫迳稀?/p>

在薄膜工藝中，基于薄膜電路工藝，陶瓷表面通過(guò)磁控濺射金屬化，銅層和金層的厚度大于10通過(guò)電鍍測(cè)微計(jì)。也就是說(shuō)，DPC（直板銅）。

2、 Thick薄膜電路工藝

（1）HTCC（高溫共燒陶瓷）

（2）LTCC（低溫共燒陶瓷）

（3）DBC（直接鍵合銅）

陶瓷PCB基板生產(chǎn)過(guò)程中的相關(guān)技術(shù)：

（1）鉆孔：機(jī)械鉆孔孔用于在金屬層之間形成連接管。

（2）鍍通孔：在連接層之間的銅線(xiàn)鉆孔后，層之間的電路沒(méi)有打開(kāi)。因此，必須在孔壁上形成導(dǎo)電層以連接線(xiàn)。該過(guò)程在工業(yè)上通常被稱(chēng)為“PTH”。工藝流程主要包括3個(gè)程序：Desmear，化學(xué)銅和電鍍銅。

（3）干膜壓制：制作光敏蝕刻光敏層。

（4）內(nèi)蒙古層圖像轉(zhuǎn)移：使用曝光將膠片圖像轉(zhuǎn)移到電路板表面。

（5）外層曝光：光敏膠片貼附后，電路板類(lèi)似于生產(chǎn)過(guò)程的內(nèi)層，再次曝光，發(fā)展。這種攝影膠片的主要功能是確定需要電鍍的區(qū)域，不需要電鍍，我們覆蓋的區(qū)域是不需要電鍍的區(qū)域。

（6）磁控濺射：氣體輝光放電過(guò)程中產(chǎn)生的正離子與靶材表面原子之間的能量和動(dòng)量交換用于將材料從源材料移動(dòng)到基板上實(shí)現(xiàn)薄膜的沉積。

（7）蝕刻 - 外部線(xiàn)的形成：使用化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除材料的技術(shù)。蝕刻的功能反映在特定圖形的選擇性去除中。

電路完成后，電路板將被送入剝線(xiàn)，蝕刻和剝線(xiàn)線(xiàn)。主要工作是完全剝離電鍍抗蝕劑并將待蝕刻的銅暴露在蝕刻溶液中。由于布線(xiàn)區(qū)域的頂部已經(jīng)被錫保護(hù)，因此使用堿性蝕刻溶液來(lái)蝕刻銅，但是由于布線(xiàn)已經(jīng)被錫保護(hù)，所以可以保持布線(xiàn)區(qū)域的布線(xiàn)，使得布線(xiàn)區(qū)域的布線(xiàn)提供整體布線(xiàn)板。

（8）防焊涂層：陶瓷電路板的目的是攜帶電子部件并達(dá)到連接的目的。因此，在完成電路板電路之后，必須限定組裝電子部件的區(qū)域，并且應(yīng)該用聚合物材料適當(dāng)?shù)乇Ｗo(hù)非組裝區(qū)域。由于電子元件的組裝和焊接，部分保護(hù)電路板的聚合物材料稱(chēng)為“焊料涂料”。目前大多數(shù)光敏阻焊劑都是濕墨涂層。

3、 LAM工藝

（1）金屬層與陶瓷之間的結(jié)合強(qiáng)度高，導(dǎo)電性好，焊接可多次進(jìn)行。金屬層的厚度可在1μm-1 mm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，L/S分辨率可達(dá)10μm，可方便地實(shí)現(xiàn)直接連接。 。

（2）LAM技術(shù)流程制作流程：

（3）LAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

A.導(dǎo)熱系數(shù)較高：傳統(tǒng)鋁基電路板MCPCB的導(dǎo)熱系數(shù)為1至2 W/mk，銅本身的導(dǎo)熱系數(shù)為383.8 W/mK，但導(dǎo)熱系數(shù)為絕緣層僅約1.0 W/mK。稍好一點(diǎn)可以達(dá)到1.8W/mK。氧化鋁陶瓷的導(dǎo)熱系數(shù)為20-35 W/mk，氮化鋁陶瓷的導(dǎo)熱系數(shù)為170-230 W/mk，銅基板的導(dǎo)熱系數(shù)為2W/（m * K），其熱膨脹系數(shù)匹配與常用的LED芯片一樣，大型硅基芯片可直接安裝在銅導(dǎo)體電路上，消除了傳統(tǒng)模塊中的鉬片等過(guò)渡層;

B.金屬薄膜層具有更強(qiáng)和更低的電阻：金屬層和陶瓷基板之間的結(jié)合強(qiáng)度高，最大可達(dá)45 MPa（陶瓷片的強(qiáng)度大于1 mm厚） ）;金屬層的導(dǎo)電性良好，例如，所得銅的體積電阻率小于2.5×10-6Ω·cm，電流通過(guò)時(shí)熱量小;

C.基板的可焊性好，使用溫度高：耐焊接，焊接可重復(fù)多次;

D.絕緣性好：擊穿電壓高達(dá)20KV/mm;

E.導(dǎo)電層厚度可在1μm~1mm范圍內(nèi)任意定制：任意可根據(jù)電路模塊設(shè)計(jì)電流。銅層越厚，可以通過(guò)的電流越大。傳統(tǒng)的DBC技術(shù)只能生產(chǎn)厚度為100μm~600μm的導(dǎo)電層;當(dāng)傳統(tǒng)的DBC技術(shù)<100μm時(shí)，生產(chǎn)溫度過(guò)高會(huì)熔化。當(dāng)厚度>600μm時(shí)，銅層太厚，銅會(huì)向下流動(dòng)，這將導(dǎo)致產(chǎn)品邊緣模糊。我們的銅箔覆蓋，厚度為1μm~1mm，精度非常準(zhǔn)確。

F.高頻損耗小，可以進(jìn)行高頻電路的設(shè)計(jì)和組裝;介電常數(shù)很小，

G.高密度組裝是可能的，線(xiàn)/間距（L/S）分辨率可以達(dá)到20μm，從而實(shí)現(xiàn)短小，裝置輕薄;

H.它不含有機(jī)成分，對(duì)宇宙射線(xiàn)有抵抗力。它在航空航天領(lǐng)域具有很高的可靠性和較長(zhǎng)的使用壽命;

I.銅層不含氧化層，可在還原氣氛中長(zhǎng)時(shí)間使用;

J.三維基板，三維布線(xiàn)